Cтраница 1
Теплопроводность диэлектриков с повышением температуры обычно возрастает, но численные значения сравнительно малы из-за медленно протекающих процессов волнового переноса теплоты. [1]
Увеличение теплопроводности диэлектрика и теплоотдачи с его поверхности, характеризуемые коэффициентами с и к, приводит к увеличению пробивного напряжения. При улучшении теплоотвода нарушение теплового равновесия происходит при больших значениях тепловыделения, соответствующих более высоким значениям приложенного напряжения. [2]
Квантовая теория теплопроводности диэлектриков, основанная на кинетическом уравнении для фононов, была построена Пайерлсом ( R. Им же была впервые указана роль процессов переброса для кинетических процессов в твердых телах. [3]
Рассматривается зависимость теплопроводности диэлектриков от температуры и концентрации примесей при низких температурах. Диэлектрики при этих условиях обладают истинной, не зависящей от размеров тела теплопроводностью только в узкой области сверхмалых концентраций примесей. [4]
![]() |
Зависимость мощности, поглощаемой Р и рассеиваемой Рр образцом диэлектрика, от его температуры. [5] |
К - коэффициент теплопроводности диэлектрика; еи и бн - диэлектрическая проницаемость и угол потерь при начальной ( до приложения напряжения) температуре диэлектрика: е, , eu tg бн; ф ( k, К, Кэ, h) - коэффициент, зависящий от толщины слоя h, коэффициента теплоотдачи k от электродов в окружающую среду, К и коэффициента теплопроводности электродов лэ. Значение ф обычно порядка нескольких десятых, а при h - со равно 0 662, что соответствует максимальному ( / пр. [6]
![]() |
Зависимость ф ( с, используемая при расчете напряжения теплового пробоя по В. А. Фоку и Н. Н. Семенову. [7] |
Здесь Ут - коэффициент теплопроводности диэлектрика, Вт / ( м - К); q) ( с) - функция, значения которой для плоских образцов находят по рие. [8]
При расчетах по значениям коэффициентов теплопроводности диэлектрика и электродов fT и тг1 [ кал / сек см град ], коэффициенту теплоотдачи а [ кал / сек - см. - град ] и значениям Л ( половика толщины диэлектрика) и / [ см ] определяют величину с, по которой, пользуясь графиком ( фиг. Подставляя все величины в формулу ( 107), находят U Зфф в вольтах. [9]
ЯрАВф ( с), где X - теплопроводность диэлектрика, кал / см - сек-град; р - удельное сопротивление диэлектрика, ом-см; В - температурный коэфф. [10]
К теории диэлектриков относится ряд работ Померанчука по теплопроводности диэлектриков как при низких, так и при высоких температурах. В них показана необходимость учета столкновений с участием четырех фононов, без чего не возникает тепловое сопротивление кристалла. [11]
Критическая концентрация е0 играет существенную роль при рассмотрении теплопроводности диэлектриков при низких температурах. [12]
Как было указано автором [1-3], при вычислении теплопроводности диэлектриков необходимо учитывать столкновения четырех, фононов. [13]
Выяснению роли парамагнитного энергетического спектра была посвящена работа о теплопроводности парамагнитных диэлектриков. [14]
Доказывается, что полученный Дебаем и Пайерлсом температурный ход теплопроводности диэлектриков при высоких температурах имеет место толь ко при определенном виде дисперсии скорости тепловых колебаний и определенном виде зависимости этой скорости от направления. В общем случае в идеальном монокристалле ангармоничность не дает никакого теплового сопротивления. [15]