Теплопроводность - кремний
Cтраница 1
Теплопроводность кремния в твердом состоянии сильно зависит от температуры. Так, при температуре 2 К теплопроводность составляет 0 1, при 20 К 10, а при 200 К 1 ВтДсм К) соответственно. [1]
 |
Экспериментальная зависи - [ IMAGE ] Температурная зависимость теп. [2] |
На рис. 97 и 98 для примера приведены экспериментальные и температурные зависимости теплопроводности кремния и составляющих теплопроводности теллурида германия. [3]
Если удастся в промышленных условиях создать кремниевые ИМС на подложках из ВеО, то и это ограничение будет преодолено, так как теплопроводность ВеО существенно превосходит теплопроводность кремния. [4]
По мере увеличения плотности упаковки рабочих элементов УСБИС обостряются проблемы, связанные с отводом выделяющейся в процессе работы электронной аппаратуры тепловой энергии. Ограниченная теплопроводность обычного кремния становится серьезным препятствием на пути дальнейшей микроминиатюризации и повышения рабочих частот. Удаление из особо чистого кремния сопутствующих изотопов 29Si и 30Si позволяет существенно уменьшить рассеяние фононов и электронов в таком материале и тем самым повысить его теплопроводность при комнатной температуре на 60 % ( на 40 % при 100 С) по сравнению с обычным кремнием. При современном уровне развития техники разделения изотопов получение моноизотопного кремния особых затруднений не вызывает. [5]
 |
Теплопроводность алмаза при различных температурах как функция концентрации изотопа 13С. Символы - экспериментальные данные из работы, а сплошные линии - результат расчета по модели Каллауэя. [6] |
Кремний является базовым материалом современной электроники. Выяснение роли изотопического разупорядочения в теплопроводности кремния является очень актуальной задачей прикладного характера. [7]
В качестве материала ЛПД в ГМ режиме используются в основном кремний и арсенид галлия. В первом случае удается получить большую мощность ввиду лучшей теплопроводности кремния, во втором - больший КПД. Для повышения мощности используют принцип суммирования сигналов нескольких ЛПД в общей колебательной системе. [8]
 |
Эквивалентная схема замещения теплопередачи для корпуса типа - 1. [9] |
Такое допущение оправдано по следующим соображениям. Теплопроводность кремния более чем в 200 раз превышает теплопроводность пластмассы и почти в семь раз выше теплопроводности ковара, из которого изго-тсплена монтажная площадка для кристалла. [10]
В последнее время достигнуты значительные успехи в области получения эпитаксиальных слоев GaAs, GaPAs и A Ga As на монокристаллической Si-подложке с использованием методов молекулярной и МОС-гидридной эпитаксий. Несмотря на невысокие значения КПД, достигнутые в СЭ на основе таких эпитаксиальных структур, полученные результаты открывают перспективы создания на кремниевых подложках монолитных КСЭ с рекордными значениями КПД. Кроме того, данные элементы будут дешевле, чем гетеро-структурные СЭ на GaAs-подложках, и вследствие лучшей теплопроводности кремния будут работать при более высоких степенях концентрирования солнечного излучения. [11]
Впервые измерения м ( Т ] для изотопически обогащенного кремния-28 ( 99 7 % 28Si) провели У. Измерения х ( Т ] были выполнены методом оптической накачки и зондирования в диапазоне температур от 100 К до 375 К. Теплопроводность изотопически обогащенной пленки 28Si во всем измеренном интервале температур оказалась выше, чем у природного кремния: изотопический эффект составляет 60 % при комнатной температуре и более 250 % при 100 К. Измерения были выполнены по традиционной методике стационарного теплового потока на образце в форме стержня в интервале температур от 2 до 310 К. Погрешность в определении абсолютной величины теплопроводности оценивается как менее 10 % при комнатной температуре. Результаты этих экспериментальных работ [190, 191], показывающие значительное ( 60 %) увеличение теплопроводности почти моноизотопного кремния по сравнению с природным при комнатной температуре, оказались в целом неожиданными. Эти результаты, вообще говоря, неудовлетворительно согласуются с теорией. [12]
Впервые измерения м ( Т ] для изотопически обогащенного кремния-28 ( 99 7 % 28Si) провели У. Измерения х ( Т ] были выполнены методом оптической накачки и зондирования в диапазоне температур от 100 К до 375 К. Теплопроводность изотопически обогащенной пленки 28Si во всем измеренном интервале температур оказалась выше, чем у природного кремния: изотопический эффект составляет 60 % при комнатной температуре и более 250 % при 100 К. Измерения были выполнены по традиционной методике стационарного теплового потока на образце в форме стержня в интервале температур от 2 до 310 К. Погрешность в определении абсолютной величины теплопроводности оценивается как менее 10 % при комнатной температуре. Результаты этих экспериментальных работ [190, 191], показывающие значительное ( 60 %) увеличение теплопроводности почти моноизотопного кремния по сравнению с природным при комнатной температуре, оказались в целом неожиданными. Эти результаты, вообще говоря, неудовлетворительно согласуются с теорией. При температуре жидкого азота ( 78 К) эффект составляет 81 %, а в максимуме зависимости м ( Т) теплопроводность обогащенного кремния в 7 7 раз выше, чем кремния с природным изотопическим составом. [13]
Страницы: 1