Теплопроводность - решетка
Cтраница 2
Частью проблемы исследования и поиска термоэлектрических материалов для улучшения Z является проблема уменьшения теплопроводности решетки, которая некоторым образом зависит от теплопроводности носителей. [16]
Электроны в металле переносят не только электрический ток, но и выравнивают в нем температуру, увеличивая теплопроводность основной решетки. [17]
Присутствие примесей уменьшает также скорость диффузии и диффузионную длину электронов п дырок, уменьшает длину пробега фононов и теплопроводность решетки. [18]
Состав твердого раствора термоэлектрического материала обычно подбирается таким образом, чтобы можно было получить максимальное значение отношения подвижности к теплопроводности решетки. Однако зависимость этого отношения от состава, как правило, довольно слабая. Изменяя составы твердого раствора, можно достичь попутно и других целей, например увеличить ширину запрещенной зоны, оптимизировать эффективную массу, сдвинуть область гомогенности твердого раствора с целью упрощения получения оптимальных для данных температур концентраций носителей заряда. [19]
Входной тепловой эффект понижается с увеличением диаметра частиц, скорости газа, свободного сечения решетки и с уменьшением толщины и теплопроводности решетки. По результатам опытов [220], представленных на рис. 87, видно, что на металлических перфорированных решетках величина Е может достигать значений, соизмеримых с количеством тепла, передаваемого в самом слое. [20]
В твердых растворах Bi2Te3 - Bi2Se3, Bi2Te3 - Sb2Te3, которые до сих пор являются лучшими материалами для термоэлементов, теплопроводность решетки мало изменяется в широком интервале температур. [21]
В твердых растворах Bi2Te3 - Bi2Se3, Bi2Te3 - Sb3Te3, которые до сих пор являются лучшими материалами для термоэлементов, теплопроводность решетки мало изменяется в широком интервале температур. Подвижность носителей при низких температурах ( Т 250 К) обычно обратно пропорциональна температуре и - Т7 1, а при высоких температурах - Г-2. [22]
В случае смешанной проводимости необходимо сложить попарно равенства систем (6.67) - (6.74) и (6.77) - (6.84), за исключением, конечно, теплопроводности решетки и, которую необходимо учесть лишь один раз. [23]
Большую теплопроводность металлов в сравнении с теплопроводностью изоляторов можно объяснить предположением, что теплопроводность х, обусловленная свободными электронами, значительно превышает теплопроводность кр решетки. [24]
В металлах число свободных электронов очень велико ( - 1022 в 1 см3) и велика электронная теплопроводность; в то же время теплопроводность решетки в них очень сильно уменьшается тем, что распространению упругих волн в очень сильной степени препятствует их рассеяние на свободных электронах; поэтому в металлах х х кэл. [25]
 |
Зависимость периода кристаллической решетки от состава.| Зависимость теплопроводности решетка сплавов от состава. [26] |
В настоящей работе впервые проведено рентгеноструктурное исследование и измерение теплопроводности при комнатной температуре для тройной системы РЬТе - SnTe - PbS и установлена корреляция теплопроводности решетки с относительным изменением периода решетки. Образцы, полученные обычным металлокерамическим способом, подвергнуты выравнивающему отжигу при 600 С в течение 150 час. Период кристаллической решетки определен дифракционным методом на установке УРС-50И с гониометром ГУР-3 с записью линии 1 420 1 медного излучения. [27]
Однако выражение (7.52) показывает, что при таких взаимодействиях суммарный импульс фононов не меняется и, следова-тельно такие взаимодействия ( Af-процессы) не будут ограничивать теплопроводность решетки. Очевидно, конечное тепловое сопротивление будут давать только процессы, изменяющие полный импульс фононной системы. [28]
 |
Теоретические зависимости фононной теплопроводности от температуры. [29] |
Однако выражение (7.70) показывает, что при таких взаимодействиях суммарный импульс фононов не меняется и, следовательно, такие взаимодействия ( А - процессы) не будут ограничивать теплопроводность решетки. Очевидно, конечное тепловое сопротивление будут давать только процессы, изменяющие полный импульс фононной системы. [30]
Страницы: 1 2 3 4