Термодиод

Cтраница 1

Термодиоды и термотранзисторы находят применение в датчиках температуры, работающих в диапазоне от - 80 до 150 С. Верхняя граница температурного диапазона ограничивается тепловым пробоем p - n - перехода и для отдельных типов германиевых датчиков достигает 200 С, а для кремниевых датчиков - даже 500 С. Нижняя граница температурного диапазона определяется уменьшением концентрации основных носителей и может достигать для германиевых датчиков - ( 240 - - 260) С, для кремниевых - 200 С. [1]

Достоинствами термодиодов и термотранзисторов являются высокая чувствительность, малые размеры и малая инерционность, высокая надежность и дешевизна; недостатками - узкий температурный диапазон и плохая воспроизводимость статической характеристики преобразования. Влияние последнего недостатка уменьшают применением специальных цепей. [2]

Основными преимуществами термодиодов и термотранзисторов являются малые габариты, возможность взаимозаменяемости и, главное, дешевизна, позволяющая применять их в датчиках одноразового употребления. [3]

Расчет прямой ветви ВАХ термодиода при заданной температуре. [4]

Диоды, используемые в качестве термочувствительных элементов, называют термодиодами. Промышленность не выпускает специально предназначенных для этой цели диодов, и разработчики средств автоматики применяют серийные приборы. Если при разработке возникают требования к инерционности чувствительного элемента, которым серийный диод не соответствует, пользуются бескорпусными приборами, на базе которых создают специальную конструкцию чувствительного элемента. [5]

Для измерения температуры от - 80 до 150 С применяют термодиоды и термотранзисторы, у которых под действием температуры изменяется сопротивление р - n - перехода и падение напряжения на этом переходе. Эти преобразователи обычно включают в мостовые цепи и цепи в виде делителей напряжения. [6]

В датчиках электрических психрометров используются термопары, термометры сопротивления и полупроводниковые термисторы и термодиоды. [7]

А; Д2 - от 0 3 до 10 А; ДЗ - магнито - и термодиоды; Д4 - диоды импульсные с временем восстановления более 500 не; Д5 - от 500 до 150 не; Д6 - от 150 до 30 не; Д7 - от 30 до 5 не; Д8 - от 5 до 1 не; Д9 - менее 1 не; И1 - диоды туннельные усилительные; И2 - диоды генераторные; ИЗ - диоды переключательные; И4 - диоды обращенные; С1 - стабилитроны и стабисторы с рассеиваемой мощностью не более 0 3 Вт и напряжением стабилизации менее 10 В; С2 - от 10 до 100 В; СЗ - более 100 В; С4 - от 0 3 до 5 Вт и менее 10 В; С5 - от 10 до 100 В; С6 - более 100 В; С7 - от 5 до 10 Вт и менее 10 В; С8 - от 10 до 100 В; С9 - более 100 В. [8]

Фототранзистор. а - структура. б - обозначеаие. [9]

При включении термотранзистора в качестве двухполюсника в схемах рис. 5.19, а и б используется только один из р-п переходов и свойства прибора не отличаются от свойств термодиода. При включении термотранзистора по схеме со свободной базой ( рис. 5.19, в) обратный ток коллекторного перехода оказывается значительно больше обратного тока коллектора при той же температуре и включении по схеме со свободным эмиттером. Зависимость обратного тока в схеме со свободной базой от температуры описывается тем же выражением, что и температурная характеристика диода. [10]

Типичные конструкции терморезисторов. а - бусинковый. б, в - стерженьковые. г - шайбовый. О - таблеточный. / - рабочее тело. г - выводы. [11]

Электронно-дырочный переход ( р-п переход) обладает свойством односторонней проводимости, и простейшим прибором, основанным на использовании свойств р-п перехода, является диод. Сочетание двух и более р-п переходов в одном кристалле при определенных условиях позволяет получить приборы, вольт-амперные характеристики которых могут деформироваться в желаемом направлении под действием электрического сигнала или при воздействии других внешних факторов. К приборам данной группы относятся транзисторы, фотодиоды, фототранзисторы, термодиоды и термотранзисторы, тиристоры, фототиристоры и другие многослойные приборы. [12]

В области термометрии существуют различные эталоны и различные поверочные схемы для нескольких диапазонов значений температуры. В диапазоне от 1 5 до 4 2 К единица температуры воспроизводится в соответствии с гелиевой шкалой 4Не 1958 Государственным специальным эталоном, состоящим из гелиевого конденсационного термометра и электроизмерительной аппаратуры для измерения сопротивления. Погрешность воспроизведения единицы температуры определяется погрешностью измерений давления насыщенных паров гелия эталонным конденсационным термометром. Среднее квадратическое отклонение результата измерений составляет 0 001 К при неисключенной систематической погрешности в пределах 0 003 К. Путем сличения в криостате единица температуры передается вторичным рабочим эталонам и эталонам-свидетелям, в качестве которых используются германиевые термометры сопротивления, и далее образцовым полупроводниковым термопреобразователям сопротивления. Предусмотрен только один разряд образцовых средств измерений. В качестве рабочих средств измерений используются термодиоды, термоэлектрические преобразователи и полупроводниковые термопреобразователи сопротивления. Они поверяются сличением с образцовыми средствами измерений или с рабочими эталонами в гелиевой ванне с регулятором давления. [13]

Страницы: 1