Термоотжиг

Cтраница 1

Темновые зависимости концентрации и подвижности свободных электронов от температуры трех плеиок CdS, осажденных методом термического испарения в вакууме на подложке из рутила при различных температурах Ts в процессе осаждения.| Температурные зависимости концентрации и подвижности электронов в пленке CdS, полученной методом пиролиза, при различных освещенностях L ( L 1 соответствует освещению вольфрамовой лампой при 50 мВт / см2. Подвижность при низкой температуре соответствует туннельному механизму прохождения через потенциальный межкристаллитный барьер [ Wu С., Bube R. H. / / J. Appl. Phys, 1974, vol. 45 ]. [1]

Термоотжиг вызывает долговременные изменения свойств пленок. Так кислород, адсорбированный на поверхности и границах зерен пленки CdS, при образовании химических связей удаляет электрон из зоны проводимости, тем самым приводя к Появлению обедненных слоев на поверхности и границах зерен. Адсорбированный кислород легко удалить путем низкотемпературного отжига в вакууме. [2]

В процессе термоотжига происходит окисление пленки резистора и стабилизация ее свойств. При этом величина сопротивления резисторов доводится до номинальной. [3]

Изменения электрических свойств полупроводников, вызванные облучением, можно достаточно эффективно устранять путем термоотжига. В Ge, например, исключение составляет лишь случай облучения медленными нейтронами, которые приводят обычно к радиационному легированию ( за счет ядерных реакций) и образованию так называемых пиков смещений ( областей с полностью разупорядоченной решеткой), которые посредством отжига не устраняются. [4]

Реакции присоединения ( первая схема) идут на центрах поверхности, содержащих как свободные валентности, образовавшиеся на стадии термоотжига, так и локальные участки с кратными углерод-углеродными связями; реакции замещения гидрид-функциональных групп идут по второй схеме. [5]

Поскольку вакансии в кристаллах типа Ge могут проявлять акцепторные свойства [333, 421], то в работах [ 89, 90, 92, 99, 108, ПО, 111, 454 - 463 ] п - р-конверсию, наблюдаемую в n - Ge при закалке, и эффект термоотжига ( в закаленных кристаллах) непосредственно связали с проявлением точечных дефектов. [6]

Так, например, минимум на кривых рис. 2 при содержании палладия 0 3 % масс, объясняется уменьшением спин-решеточной релаксации, т.е. упрочнением связи парамагнитных частиц с решеткой в присутствии соответствующего количества палладия. Поскольку при длительном хранении облученных образцов при комнатной температуре и термоотжиге характер и параметры спектра ЗПР не меняются, полагаем, что уровень концентрации ЛМЦ, стабилизировавшихся на поверхности катализатора, определяется переходом их в непарамагнитное состояние. [7]

Обычно отжиг связывают с диффузией точечных дефектов, приводящей к их частичному или полному исчезновению. Такая теория, однако, оказалась способной объяснить лишь результаты, относящиеся к начальной стадии термоотжига. Учет этого обстоятельства и достаточно малых значений энергии миграции междоузельных атомов и вакансий ( и, следовательно, больших по-движностей) [112, 114,404,405, 420] побуждает исследователей пересматривать основные представления о механизме термоотжига. Так, например, в работе [386] отжиг радиационных дефектов объясняется тем, что междоузельные атомы ( обладающие высокой подвижностью) диффундируют к примесным атомам и, выталкивая их в междоузлия, занимают свое нормальное положение в узлах решетки. Вакансии при этом образуют комплексы с атомами примеси Sb ( или As) как находящимися в узлах решетки, так и вытолкнутыми междоузельными атомами основного вещества в междоузлия. В Ge с примесью As с большей вероятностью образуются сложные комплексы типа: VV или VVD, с чем и связан повышенный вклад в термоотжиг Ge ( As) высокотемпературных стадий. [8]

Осадки, полученные химическим способом, имеют аморфную структуру и нестабильны во времени. Для повышения их твердости и прочности, улучшения сцепления с основным металлом и друг с другом используется термоотжиг. При этом структура осадков из аморфной превращается в кристаллическую, характеристики пленок стабилизируются. [9]

В течение десятилетия ( 1952 - 1961 гг.) результаты опытов многих авторов [161, 162, 164, 169, 440-449] использовались для обоснования предположения о том, что п - р-конверсия ( при закалке) и термоотжиг всецело определяются остаточной примесью Си в исследуемых кристаллах. [10]

Увеличение N ( s обусловлено как фазовыми переходами ( а Р) для микрокристаллических включений кремнезема ( см. гл. В последующем атомы натрия образуют комплексы с дефектами переходного слоя или окисла, которые, как известно, дают весьма эффективные центры. Поскольку атомы натрия могут диффундировать главным образом через так называемые пинголы - различные сплошные или тупиковые микропоры в окисле, то эта стадия термоотжига, как показывает опыт, связана с дефектностью окисла, его толщиной и сопровождается сильным увеличением гетерогенности поверхности и ослаблением пробивных характеристик окисла. Возможно также перераспределение натрия на самой границе Si - SiO2 из-за изменения структуры окисла. Как показывают данные МСВИ, такое перераспределение отжигов появляется при Т 600 С ( см. гл. [11]

Страницы: 1