Термосопротивление - тип
Cтраница 4
 |
Блочная схема электронных реле температуры РТ-2 и РТ-3. [46] |
В реле РТ-3 ( рис. 75) термосопротивление Rt типа ТСМ или ТСП подключают к измерительному мосту, который находится в равновесии при RtRs RiRn. При изменении Rt разбаланс моста UM подается на операционный усилитель ОУ. [47]
Схема делителя изображена на рис. 3.8 6, где в качестве нижнего плеча делителя используется термосопротивление типа ММТ-1, шунтированное обычным сопротивлением. Применяя такой делитель, можно получить соответствие требуемому закону изменения Е & от температуры не менее чем в двух точках. [48]
 |
Графическая зависимость электрического сопротивления термосопротивлений от температуры. [49] |
На рис. 2.7 приведены зависимости сопротивлений от температуры для термосопротивлений типов ММТ-1 и КМТ-1, серийно изготовляемых нашей промышленностью. Из графика видно, что с возрастанием температуры сопротивление ТС резко падает. Электрическое сопротивление ТС при температуре окружающей среды, равной t20 C называется холодным сопротивлением. Для термосопротивления типа ММТ-1 оно равно примерно 20 ком. [50]
На рис. 2.7 приведены зависимости сопротивлений от температуры для термосопротивлений типов ММТ-1 и КМТ-1, серийно изготовляемых нашей промышленностью. Из графика видно, что с возрастанием температуры сопротивление ТС резко падает. Электрическое сопротивление ТС при температуре окружающей среды, равной 20 С называется холодным сопротивлением. Для термосопротивления типа ММТ-1 оно равно примерно 20 ком. [51]
На рис. 4.15, б показано малогабаритное термосопротивление типа Т-8, применяемое для измерения мощности в области сверхвысоких частот, величина которой определяется по изменению сопротивления. Оно заключено в герметически закрытую стеклянную трубку, из которой удален воздух. Размещение в вакууме предупреждает отдачу тепла окружающей среде через теплопроводность и конвекцию. Большее по габаритам термосопротивление типа ТП-2, показанное на рис. 4.15, в, также заключено в вакуумный баллон. Оно используется в низковольтных цепях для стабилизации напряжения. [52]
Ток базы определяется обратным сопротивлением диода плоскостного типа, которое с увеличением температуры уменьшается, а с уменьшением температуры увеличивается. Следовательно при увеличении температуры увеличивается ток в цепи диода и ток базы транзистора. Увеличивается ток, потребляемый транзистором от источника питания и падение напряжения на сопротивлении Rl. В результате этого автоматически увеличивается ток нагрузки источника литания. Напряжение на выходе источника питания автоматически уменьшается. При понижении температуры процесс протекает в обратном направлении. Для увеличения пределов изменения напряжения желательно вместо диода или еще лучше параллельно диоду включать термосопротивление типа ММТ или КМТ. [53]
Страницы: 1 2 3 4