Полупроводниковое термосопротивление

Cтраница 3

Для полупроводниковых термосопротивлений измерительными приборами обычно служат неуравновешенные мосты. [31]

Преимущества полупроводниковых термосопротивлений: большой ( отрицательный) температурный коэффициент сопротивления ( на один порядок выше по абсолютному значению температурного коэффициента большинства металлов); большое номинальное сопротивление и малые габариты; малая тепловая инерция. Однако характеристики термоме -: юв в партии плохо воспроизводимы, что затрудняет их массовое производство. [32]

Чувствительность полупроводниковых термосопротивлений к изменению температуры значительно выше, чем металлических. [33]

Чувствительность полупроводниковых термосопротивлений к изменению температуры значительно выше, чем металлических. Сопротивления меди и платины при нагреве от 0 до 100 С возрастают приблизительно на 40 %, а сопротивление полупроводника уменьшается в 20 - 25 раз и более. Полупроводниковые термосопротивления имеют при температуре 20 С сопротивление от сотен до сотея тысяч ом. Они могут работать при температурах от - 100 С и ниже и до 400 С и выше. [34]

Недостатком полупроводниковых термосопротивлений является заметная неидентичность их характеристик, что требует подгонки температурного коэффициента каждого из них на заданное значение путем последовательного или параллельного присоединения к нему сопротивления из манганина. Это ограничивает возможность широкого использования полупроводниковых термосопротивлений для измерений температуры. [35]

Из других полупроводниковых термосопротивлений в области очень низких температур ( температуры жидкого гелия и жидкого водорода) с успехом применяются элементарные полупроводники. [36]

Термисторы - полупроводниковые термосопротивления, изменяющие свою величину в зависимости от температуры. Температурный коэффициент сопротивления термисторов отрицателен и достигает 3 - 6 % на ГС. [37]

Автоматический регулятор температуры РПД. [39]

Выпускаются также полупроводниковые термосопротивления типа ММТ-1 и ММТ-4. Эти термометры имеют малые габариты и высокую чувствительность. [40]

Вольт-амперная характеристика полупроводникового термосопротивления, как уже указывалось выше, имеет падающий участок. Это обстоятельство позволяет получить в цепи с термосопротивлением релейную характеристику. Для этого достаточно последовательно с термосопротивлением включить постоянное сопротивление R ( рис. 4 - 7, а), превышающее по своей величине абсолютное значение производной характеристики термосопротивления на падающем участке. Получившаяся кривая имеет вид буквы S. При такой кривой изменение напряжения приводит к скачкообразному изменению тока. Будем увеличивать напряжение, приложенное к цепи. При дальнейшем увеличении напряжения ток будет плавно возрастать. При уменьшении напряжения ток Сначала плавно уменьшается до значения / 2 ( напряжение U2), а затем скачком падает до значения Г2, после чего уменьшение тока происходит снова плавно. [41]

Вольтамперная характеристика полупроводникового термосопротивления является резко нелинейной. По мере увеличения тока падение напряжения на термосопротивлеяии сперва возрастает, а затем вследствие увеличивающегося нагрева током и резкого уменьшения величины сопротивления снова уменьшается. [42]

Платиновый термометр сопротивления. [43]

К недостаткам полупроводниковых термосопротивлений следует отнести нестабильность их характеристики во времени. [44]

Основными параметрами, характеризующими полупроводниковое термосопротивление, является температурный коэффициент, постоянная времени и постоянная рассеивания. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5