Термотранзистор
Cтраница 2
Затемненный фототранзистор ведет себя как термотранзистор. Под действием света в базовой области образуются пары электрон - дырка. Если транзистор включен по схеме со свободной базой, то / / о / т / ф, где / ф - фототек. Возникновение фототока обусловлено изменением заряда в базовой области за счет остающихся в ней основных неравновесных носителей после разделения полями эмиттерного и коллекторного переходов, образовавшихся под действием света пар электрон - дырка. Здесь k - токовая чувствительность фототранзистора, значение которой существенно превышает чувствительность фотодиода благодаря внутреннему усилению. [16]
Для измерения температуры от - 80 до 150 С применяют термодиоды и термотранзисторы, у которых под действием температуры изменяется сопротивление р - n - перехода и падение напряжения на этом переходе. Эти преобразователи обычно включают в мостовые цепи и цепи в виде делителей напряжения. [17]
Когда необходимы малоинерционные терморезисторы, для их изготовления используют очень тонкий провод ( микропровод) или применяют термисторы малого объема ( бусинковые) или термотранзисторы. [18]
Измерения температуры в диапазоне от - 270 до 1100 С производят обычно термометрами сопротивления с платиновыми, медными или полупроводниковыми терморезисторами, термометрами с термотранзисторами, а также кварцевыми термометрами. Для точных измерений в указанном диапазоне температур рекомендуется применять термометры со стандартными платиновыми терморезисторами или цифровые кварцевые термометры. Однако для измерений нестационарных температур, изменяющихся со скоростью более 1 С в минуту, эти термометры малопригодны ввиду их инерционности. В этом случае в указанном диапазоне применяют термометры с полупроводниковыми терморезисторами, с термотранзисторами или термоэлектрические термометры, чувствительные элементы которых отличаются малыми габаритами. [19]
 |
Фототранзистор. а - структура. б - обозначеаие. [20] |
При включении термотранзистора в качестве двухполюсника в схемах рис. 5.19, а и б используется только один из р-п переходов и свойства прибора не отличаются от свойств термодиода. При включении термотранзистора по схеме со свободной базой ( рис. 5.19, в) обратный ток коллекторного перехода оказывается значительно больше обратного тока коллектора при той же температуре и включении по схеме со свободным эмиттером. Зависимость обратного тока в схеме со свободной базой от температуры описывается тем же выражением, что и температурная характеристика диода. [21]
 |
Типичные конструкции терморезисторов. а - бусинковый. б, в - стерженьковые. г - шайбовый. О - таблеточный. / - рабочее тело. г - выводы. [22] |
Электронно-дырочный переход ( р-п переход) обладает свойством односторонней проводимости, и простейшим прибором, основанным на использовании свойств р-п перехода, является диод. Сочетание двух и более р-п переходов в одном кристалле при определенных условиях позволяет получить приборы, вольт-амперные характеристики которых могут деформироваться в желаемом направлении под действием электрического сигнала или при воздействии других внешних факторов. К приборам данной группы относятся транзисторы, фотодиоды, фототранзисторы, термодиоды и термотранзисторы, тиристоры, фототиристоры и другие многослойные приборы. [23]
Измерения температуры в диапазоне от - 270 до 1100 С производят обычно термометрами сопротивления с платиновыми, медными или полупроводниковыми терморезисторами, термометрами с термотранзисторами, а также кварцевыми термометрами. Для точных измерений в указанном диапазоне температур рекомендуется применять термометры со стандартными платиновыми терморезисторами или цифровые кварцевые термометры. Однако для измерений нестационарных температур, изменяющихся со скоростью более 1 С в минуту, эти термометры малопригодны ввиду их инерционности. В этом случае в указанном диапазоне применяют термометры с полупроводниковыми терморезисторами, с термотранзисторами или термоэлектрические термометры, чувствительные элементы которых отличаются малыми габаритами. [24]
Страницы: 1 2