Современная полупроводниковая техника

Cтраница 2

Положение элементов, обнаруживающих полупроводниковые свойства, в периодической системе Менделеева. [16]

Наиболее типичными полупроводниками с хорошо исследованными электрическими свойствами являются германий, кремний и теллур. Германий - самый важный материал современной полупроводниковой техники, и поэтому он исследован очень глубоко и всесторонне, во всяком случае тщательнее, чем какой-либо другой элемент; его недостатком, с практической точки зрения, является дороговизна, связанная сего крайней рассеянностью в природе. Кремний - один из самых распространенных на земле элементов ( 28 % земной коры); его некоторые физические характеристики, очень важные для технических применений, превосходят таковые германия, но, так как технология изготовления очень чистого кремния, который только в таком, очень чистом, виде проявляет свей замечательные свойства, еще только осваивается в промышленных масштабах, пока можно говорить лишь о его блестящей будущности. Теллур - полупроводник, еще не нашедший себе применения в чистом виде - является основой для получения ряда важных полупроводниковых сплавов, используемых, в частности, для изгоювле-ния термогенераторов. [17]

Принципиальные схемы передачи на переменном токе. а - со звеном постоянного тока. б - с непосредственным преобразованием энергии. [18]

Здесь регулирование частоты и напряжения производится в узле инвертирования И. Преимущественное распространение имеет схема, изображенная на рис. 25, а, так как введение дополнительного звена выпрямитель-инвертор при современной полупроводниковой технике усложнений оборудования не вызывает, а возможности регулирования оптимальны. [19]

Читателю хорошо известно, какими громоздкими и неудобными для перевозки в городском общественном транспорте являются басовые музыкальные инструменты и барабаны. Современная полупроводниковая техника все может. [20]

Создание средств и разработка способов управления искусственным освещением, обеспечивающих возможность экономии электроэнергии за счет максимального использования естественного света, является одним из наиболее перспективных направлений повышения эффективности освещения. Разработка средств управления освещением на базе современной полупроводниковой техники с использованием микропроцессоров и ЭВМ должна стать основой для создания подсистем АСУ освещением в общей системе АСУ энергоснабжением крупных потребителей электроэнергии. [21]

Главными потребителями германия в настоящее время являются радиотехническая и электротехническая промышленность, где он используется как полупроводник. Основные преимущества германия перед другими полупроводниками заключаются, во-первых, в возможности сравнительно несложного получения его в виде полупроводникового материала с заданными свойствами ( легкость химической и физической очистки от большинства примесей) и, во-вторых, в благоприятных электрофизических параметрах. Вследствие этого германий является одним из наиболее ценных материалов в современной полупроводниковой технике. [22]

Современную микро - и оптоэлектронику более всего интересуют свойства термически окисленных поверхностей кремния. С тех пор как заработал первый полевой МОП-транзистор [11], в-котором роль диэлектрика выполнял собственный оксид, пленки Si02 стали неотъемлемой частью всей интегральной МДП-электроники. По образному выражению Панте-лидеса, организовавшего первую международную конференцию по физическим свойствам пленок, Si02 [12], Si и Si02 являются сердцем современной полупроводниковой техники. До настоящего времени наибольшее применение имеют транзисторные структуры со сравнительно толстыми ( 200 нм и выше) слоями диоксина кремния, выполняющими роль пассивирующих диэлектрических покрытий полупроводника. [23]

Количество существенно различных типов полупроводниковых приборов в настоящее время исчисляется десятками и непрерывно возрастает. Однако независимо от их функционального назначения, конструктивного оформления и специфических особенностей работы все полупроводниковые приборы имеют нечто общее, связанное с электрофизическими свойствами тех материалов, на которых они сформированы - полупроводников. Основными процессами в полупроводниковых приборах являются получение носителей зарядов, управление их концентрацией и движением. Однако эти процессы в твердых полупроводниках во многом отличаются от аналогичных процессов в вакууме или газе. Понять механизм управления электрическими зарядами в полупроводниках - это значит получить ключ к решению сугубо практических вопросов, связанных с оптимальным использованием многочисленных и разнообразных полупроводниковых приборов, составляющих элементную базу современной полупроводниковой техники. Задача эта отнюдь не простая. Дело в том, что теория физических явлений в полупроводниках отличается большой сложностью и может быть во всех подробностях усвоена лишь на основе глубокого изучения фундаментальных разделов физики твердого тела с привлечением соответствующего математического аппарата. [24]

Для характеристики возможностей качественного спектрального анализа принято понятие абсолютной чувствительности анализа. Под этой величиной понимается наименьшее количество вещества данного элемента, находящееся в пробе и дающее в спектре слабые, но достаточно четкие для идентификации последние линии ( § 6) элемента. Это количество может быть выражено в весовых единицах или в процентах к весу всей пробы; в последнем случае эту меру чувствительности иногда называют относительной чувствительностью. В табл. 2 приводятся сведения об абсолютной чувствительности обнаружения некоторых элементов. Следует отметить, что данные табл. 2 являются приблизительными, так как в зависимости от совершенствования методов анализа пределы. Современная полупроводниковая техника требует дальнейшего повышения чувствительности на два-три порядка. [25]

Страницы: 1 2