Технология - полупроводниковый материал
Cтраница 1
Технология полупроводниковых материалов родилась одновременно с появлением первых твердотельных электронных приборов, и ее развитие отражает развитие полупроводникового приборостроения. [1]
 |
Схема включения полупроводникового. [2] |
Технологии полупроводниковых материалов и приборов большое внимание, в частности, было уделено на происходившей в мае 1959 г. Международной конференции по полупроводникам в Лондоне. [3]
Поэтому технология полупроводниковых материалов рассмотрена на примерах получения этих, серийно производимых полупроводников. [4]
В технологии полупроводниковых материалов графит находит большое применение как конструкционный материал для изготовления деталей тепловых узлов ( подставки, тигли, нагреватели, экраны и др.) установок для выращивания монокристаллов и различных деталей оборудования полупроводникового производства, работающих в вакууме или атмосфере инертных или восстановительных газов. [5]
 |
Зависимость вязкости расплава Sb. A1 - 1. 1, атом от продолжительности выдержки при температурах, С. [6] |
Впервые в технологии полупроводниковых материалов был использован автором книги для синтеза антимонидов цинка и кадмия, проводимого под слоем легкоплавкого хлоридного флюса, при атмосферном давлении ( См. [7]
Наиболее распространен в технологии полупроводниковых материалов метод выращивания монокристаллов Чох-ральского. Этим методом получают подавляющее большинство монокристаллов наиболее распространенных полупроводников. [8]
 |
Винтовая нарезка на поверхности монокристаллов полупроводников. [9] |
В ограниченных масштабах в технологии полупроводниковых материалов выращивают монокристаллы методом горизонтальной зонной плавки. Достоинством его является возможность совмещения процесса глубокой очистки полупроводника с последующим выращиванием его монокристалла. Применение этого метода в технологии разлагающихся полупроводниковых соединений позволяет совместить в одном технологическом цикле сразу три операции: синтез, очистку синтезированного соединения и выращивание его монокристалла. Проведение этих операций в герметичных или квазигерметичных реакторах дает возможность путем регулирования давления пара летучего компонента над расплавом получать монокристаллы стехиомет-рического состава или с любым отклонением от него. [10]
Чистоту воды, используемой в технологии полупроводниковых материалов, непрерывно контролируют на всех стадиях ( от приготовления до употребления) по данным измерения удельного сопротивления. Для этого используют датчики, встроенные в трубопроводы или ванны с водой. Так как шкалы мегаомметров показывают результат измерения удельного сопротивления воды при 20 С, то при работе с охлажденной или подогретой водой в показания прибора вносят поправку. [11]
Из изложенного видно, как сложна технология полупроводниковых материалов. Здесь требуются вещества высшей степени чистоты. Только при современном техническом прогрессе стало возможным успешно разрешать эти задачи. [12]
В практикум включены работы по физике и технологии полупроводниковых материалов, структурному анализу, физике и применению полупроводниковых приборов, а также по методам исследования полупроводниковых материалов и приборов. [13]
С учетом этого в настоящем учебном пособии изложены технология полупроводниковых материалов в виде объемных монокристаллов, подложек и однослойных или многослойных эпитаксиальных структур, не содержащих р - - переходов, металлических или диэлектрических слоев или покрытий. [14]
Какими способами очищают технические германий и кремний в технологии полупроводниковых материалов. [15]
Страницы: 1 2 3