Cтраница 2
Другим фактором, влияющим на надежность интегральных микросхем, является температура. Правда, благодаря особенностям технологии кремниевых интегральных микросхем ее влияние на их надежность гораздо меньше, чем иа некоторые другие полупроводниковые схемы, в особенности на германиевые. Многочисленные исследования позволили установить, что ощутимое изменение параметров интегральных микросхем начинается при температуре выше 300 С. [16]
По сравнению с техникой поверхностных акустических волн применение цифровых методов, как правило, ограничено более низкими частотами, а устройства в целом получаются более громозкими и потребляют больше мощности. Тем не менее новейшие достижения в области технологии интегральных микросхем, увеличение быстродействия и повышение степени интеграции делают цифровые методы все более и более перспективными. [17]
Поскольку в БИС ожидается меньшая интенсивность отказов в пересчете на один вентиль указанные цифры должны возрасти. Если учесть быстроту, с которой изменяется сама технология интегральных микросхем, результаты такого анализа будут устаревать скорее, чем их удастся получать. [18]
Наряду с усовершенствованием передающих трубок ведутся работы по созданию безвакуумных преобразователей оптических ТВ изображений в видеосигнал. Безвакуумные твердотельные фотоэлектрические датчики видеосигнала разрабатываются на основе технологии интегральных микросхем. Они отличаются высокой эффективностью преобразования свет - сигнал, что позволяет повысить чувствительность ТВ камеры, конструкция которой оказывается значительно проще и размеры меньше, чем у камер с передающими трубками. [19]
Характеристики полупроводниковой памяти продолжают улучшаться по мере совершенствования технологии интегральных микросхем. [20]
Это обусловило быстрое развитие таких новых направлений, как технология быстродействующих интегральных микросхем, оптоэлектроника, интегральная оптика и др. Соединения AinBv в основном используют для производства светодиодов; цифрознаковых индикаторов, электролюминесцентных панелей; твердотельных телевизионных экранов; приборов СВЧ-диапазона; туннельных диодов и диодов Ганна, фотоприемников для работы в ИК-области спектра ( для оптической связи компьютерных систем); твердотельных лазеров. [21]
Сварка лучом лазера в отличие от других является бесконтактной. Возможность прецизионного управления интенсивностью, длительностью и местоположением лазерного луча, возможность сваривать в недоступных участках схемы, возможность передачи энергии через прозрачные материалы ( например, стеклянные подложки и окна) делают лазерный метод перспективным в технологии интегральных микросхем. [22]
Однако методы химического осаждения не столь универсальны по виду наносимых веществ. Вероятно, надо уметь правильно использовать преимущества обоих этих направлений, рационально их применять и целесообразно сочетать между собой для получения заданных результатов. Последнее особенно касается вопросов технологии интегральных микросхем. [23]
При обработке полупроводниковых структур обнару живается наличие дефектов, вызываемых структурными дефектами в кремниевой пластине, проколами ( дефектами) в процессе фотолитографии, и других дефектов в результате многочисленных процессов нанесения сло в, связанных с недостатками технологии, оборудования. В общем случае считают, что все эти дефекты некорре-лированы. Плотность распределения дефектов различна, наименьшая плотность дефектов характерна для центра пластин, по краям плотность дефектов увеличивается. Плотность дефектов состоит из двух составляющих: плотности дефектов материалов и плотности технологических дефектов. Достаточно подробно данное явление рассматривается в учебных пособиях и монографиях по технологии интегральных микросхем. [24]
Относительно других форм интеллектуальной собственности в соответствующих законах предусмотрен лишь перечень обязательных условий договора. В этой связи было высказано мнение о возможности использовать, по аналогии закона, предписания ГК о передаче прав, основанных на обязательстве. В настоящее время прямые указания закона позволяют решить вопрос применения соответствующих норм. Это служит основанием для следующих выводов. ГК безусловно применимы к договорам об уступке патентов на все виды интеллектуальной собственности в той мере, в какой иное не вытекает из содержания или характера соответствующего права. Это относится к изобретениям, полезным моделям, промышленным образцам; аналогичен подход и для случаев полной уступки прав на товарный знак и знак обслуживания, а также на технологию интегральных микросхем, на программу для ЭВМ или базу данных. Во-вторых, лицензионные договоры в отношении интеллектуальной собственности являются сделками не на продажу прав, а на их использование с сохранением самого права у лицензиара. [25]
Однако имеется важное дополнительное преимущество, связанное с обеспечением доступа к поверхности материала на пути распространения волны. Это предоставляет, по крайней мере в принципе, значительно большие возможности. Так как устройства становятся двумерными, появляется большой простор в выборе методов возбуждения и детектирования волн, а также их преобразования по мере распространения. Это позволяет существенно усложнить структуру устройств. Ситуация подобна той, которая наблюдается в технике полупроводниковых приборов, где использование планар-ной технологии привело к появлению значительно более сложных и совершенных изделий. Технология интегральных микросхем оказала прямое влияние на развитие технологии приборов на ПАВ, снабдив последнюю рядом методов изготовления. Были заимствованы важнейшие технологические процессы, включая нанесение тонких пленок различных материалов, травление звукопроводов и фотолитографию, с помощью которой удается получить сложную топологию с высокой точностью. [26]