Cтраница 1
Технология производства полупроводниковых приборов предъявляет жесткие требования к химической и коррозионной стойкости сплавов, так как после вплавления кристаллы с р - га-переходами и омическими контактами подвергаются химической обработке в растворах сильных кислот и щелочей. [1]
Совершенствование технологии производства полупроводниковых приборов привело к улучшению их электрических и эксплуатационных параметров и значительно расширило массовое применение. Это в свою очередь обусловило новые требования к параметрам приборов, которые сводятся к получению у одного прибора совокупности параметров, характерных только для различных типов приборов. [2]
Непрерывное совершенствование технологии производства полупроводниковых приборов позволяет предполагать, что в ближайшие годы дрейф нуля модуляторов будет снижен еще во много раз. [3]
В настоящее время основными процессами в технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем являются диффузионные. С их помощью наилучшим образом удается управлять концентрацией и распределением примесей в локальных участках поверхности полупроводников и создавать пассивные и активные элементы. Основное преимущество этого метода заключается в возможности групповой обработки большого количества маскированных окисной пленкой пластин, что при наличии хороших диффузионных печей обеспечивает наиболее экономичную и целесообразную организацию производства. [4]
Особый интерес представляет опыт применения ультразвука в технологии производства полупроводниковых приборов. Ультразвуковая очистка пластин германия и кремния впервые была внедрена в 1956 г. после проведения специальных исследований, доказавших, что очистка полупроводниковых материалов в деионизиро-ванной воде с воздействием ультразвуковых колебаний позволяет получить результаты, не достижимые никаким другим известным способом. Почти на всех заводах полупроводниковых приборов внедрена ультразвуковая очистка германия и кремния. Внедрение ультразвука значительно повышает производительность труда, качество выпускаемых приборов. [5]
Книга представляет интерес для инженеров, занимающихся разработкой, конструированием и технологией производства полупроводниковых приборов, а также для студентов вузов соответствующих специальностей. [6]
Последняя проблема, на которой следовало бы остановиться, относится к сфере технологии производства полупроводниковых приборов. В настоящее время известно много технологических методов и приемов, используемых при изготовлении полупроводниковых приборов. Одни из них достаточно просты и дешевы, однако не дают возможности получать воспроизводимые результаты и, что самое главное, не поддаются механизации и автоматизации. Другие методы являются более прогрессивными, но отличаются большой сложностью. Исключительно важной является задача выбора наиболее перспективных технологических направлений, их отработка, разработка высокопроизводительного и точного оборудования, обеспечивающего автоматическое осуществление этих процессов. [7]
Одним из наиболее перспективных направлений микроэлектроники является применение полупроводниковых интегральных схем, которое развивается на основе физики твердого тела и технологии производства полупроводниковых приборов. Интегральные схемы обладают более высокой степенью миниатюризации и большей надежностью, чем тонкопленочные микросхемы. В монокристалле кремния или германия можно получить схему, состоящую из пассивных и активных элементов, которые в соединении выполняют функцию законченного узла. Так, кристалл кремния размером 4 5x2x0 3 мм эквивалентен блоку, состоящему из 40 и более элементов. Процесс изготовления различных элементов схемы в одном кристалле небольших размеров создает значительные трудности в производстве интегральных схем. Однако, получение схем может быть механизировано и, таким образом, интегральные микроэлектронные узлы открывают большие возможности перед конструкторами. По данным ряда исследователей, интегральные схемы позволяют увеличить надежность аппаратуры в 30 - 40 раз по сравнению с другими микросхемами. Они обладают более коротким циклом разработки и производства; обеспечивают весьма большую плотность монтажа и хорошее рассеяние тепла. [8]
Книга рассчитана на широкий круг исследователей, работающих в области физической химии и химической термодинамики полупроводников, физики твердого тела, кристаллохимии, технологии производства полупроводниковых приборов. [9]
Книга рассчитана на широкий крут исследователей, работающих в области физической химии и химической термодинамики полупроводников, физики твердого тела, кристаллохимии, технология производства полупроводниковых приборов. [10]
Книга рассчитана на широкий круг исследователей, работающих в области физической химии и химической термодинамики полупроводников, физики твердого тела, кристаллохимии, технологии производства полупроводниковых приборов. [11]
В 1922 г. работами О. В. Лосева над генераторами на полупроводниковых диодах было положено начало развитию полупроводниковой электроники, а с 1948 г. повсеместно получают распространение транзисторы, тиристоры, динисторы и другие полупроводниковые приборы, близкие по выполняемым функциям к некоторым лампам, но обладающие значительно меньшими габаритами, отличающиеся ббль-шим сроком службы, высокой надежностью, малым потреблением мощности. Технология производства полупроводниковых приборов непрерывно совершенствовалась. В начале 50 - х годов возникает новая область электроники - микроэлектроника, охватывающая комплекс проблем по микроминиатюризации не отдельных приборов, а узлов и даже устройств. [12]
Приведенные примеры далеко не исчерпывают всех областей применения полупроводниковых приборов. Можно без преувеличения сказать, что современное развитие науки и техники во многом зависит от достижений физики полупроводников и технологии производства полупроводниковых приборов. [13]
Даже миллионные доли посторонних примесей могут нарушить их структуру. Кремний еще более нетерпим к чужакам, чем германий. Все это очень усложняет и удорожает технологию производства полупроводниковых приборов. [14]