Базовая технология

Cтраница 2

На рис. 13.2 показана базовая технология изготовления приводного ремня, которая включает четыре группы процессов: 1) переработка материалов; 2) сборка; 3) вулканизация; 4) механическая обработка. [16]

Как только сделан выбор базовой технологии, появляется возможность создания технологических карт, которые учитывают такие факторы, как нагрузочная способность, предельные температуры, конструкционные и временные ограничения. В то же время выбираются устройства и скорости их работы, размеры основного модуля и техника межсоединений. Проектирование превращается в поиск компромисса. Действительно, наивысшей безотказности можно достичь при минимальной нагрузке на компоненты, при работе на низких рабочих температурах и с широким временным диапазоном. Однако подобная система будет скорее всего медленной и дорогой. Поэтому, чтобы добиться требуемого быстродействия, применяя минимальное число компонентов, некоторые части системы будут проектироваться при предельных значениях их параметров, заданных в технических условиях. [17]

В Проекте НИОКР для базовых технологий в отраслях следующего поколения собраны темы, которые уже привлекли в себе большое внимание во всем мире и достаточно широко разрабатываются. Эти темы не уникальны и даже не оригинальны. [18]

Вначале выбирается одна из уже разработанных базовых технологий и одна из типовых конфигураций компонента. Тем самым оказываются заданными физико-структурные параметры ХФ и задача заключается в определении таких геометрических параметров ХГ, чтобы удовлетворялись требования к электрическим параметрам ХЭ. В последнем случае физико-структурные параметры уже не являются исходными данными и в блоке 2г изменяются как параметры ХГ, так и параметры ХФ. [19]

Технологическая группа характеристик определяет применяемую базовую технологию производства БИЛС, которая может быть полупроводниковой, гибридной, совмещенной. [20]

Информационный менеджмент превращается в базовую технологию организации управленческой деятельности во всех сферах информационного общества. [21]

Первое из них относится к базовой технологии, второе - к технологическому процессу, в котором используется ПМО. При написании формул ( 159) и ( 160) предположено, что плазменный нагрев обрабатываемого материала на данной операции не оказывает влияния на трудоемкость предыдущих и последующих операций. [22]

Корпорации стремятся выжать максимум из своих базовых технологий, научно-технических достижений, использовать их везде, где только возможно. На этом основан, в частности, так называемый спин-оф - активный поиск корпорациями сфер применения для нововведений. [23]

Было выполнено детальное моделирование на ЭВМ базовой технологии фенольной очистки нефтяных масляных фракций на модельной смеси, эквивалентной IV масляной фракции, показавшее, что для концентрационной части экстрактора селективность фенола по отношению к нежелательным компонентам достаточна высока, а для отгонной части наблюдается резкое снижение селективности. [24]

Коэффициенты k и &2 устанавливают вручную при изменении параметров базовой технологии таким образом, чтобы дисперсия погонной энергии q IU / v была минимальной. Контроллер имеет десять градаций дискретной настройки каждого из коэффициентов, и выбор нужного значения не вызывает затруднений. При длительной работе в этом режиме оператор компенсирует действие неконтролируемых возмущений ручной подстройкой номинального тока. [25]

Схема метода локальной эпитаксии. [26]

В промышленной практике используются две группы методов, но базовыми технологиями являются среди методов изоляции р-п переходом технология разделяющей диффузии, а из всех технологических методов, использующих диэлектрическую изоляцию, - изоляцию с помощью V-канавки и изопланарная технология. [27]

В настоящее время можно считать, что основные принципы разработки базовой технологии переработки таких видов сырья о использованием традицизнкых процессов уже сформироэались и по степени надежности практически мало отличаются от существующей технологии переработки сернистых нефтей. В связи с обострением экологических проблем предъявляются весьма жесткие требования к качеству подготовки меркалтансодержащего сырья к переработке. В частности выставляются требования по максимальному удалению сероводорода, глубокой демеркаптанизации головных фракций, обессиливанию и обезвоживанию. [28]

При изготовлении различных типов интегральных схем используется одна и та же базовая технология, заключающаяся в последовательном многократном выполнении операций окисления, диффузии, травления, фотолитографических процессов. В последнее время широкое распространение получила так называемая планарная технология, отличительной особенностью которой является то, что все активные и пассивные элементы структуры формируются в приповерхностном слое с одной стороны пластины, а р-п - переходы областей эмиттер - база и база - коллектор выходят на одну плоскость и защищены слоем окисла. Это обеспечивает повышенную надежность прибора, поскольку р - n - переходы изолированы от влияния внешней среды. Варианты планарной технологии отличаются способам и изоляции активных элементов ( диодов, транзисторов, резисторов), друг от друга. Электрическая изоляция может быть осуществлена обратно смещенным р - n - переходом или диэлектрической пленкой двуокиси кремния. Иногда используют комбинированный способ изоляции. [29]

При изготовлении различных типов интегральных схем используется одна и та же базовая технология, заключающаяся в последовательном многократном выполнении операций окисления, диффузии, травления, фотолитографических процессов. В последнее время широкое распространение получила так называемая планарная технология, отличительной особенностью которой является то, что все активные и пассивные элементы структуры формируются в приповерхностном слое с одной стороны пластины, а р - / переходы областей эмиттер - база и база - коллектор выходят на одну плоскость и защищены слоем окисла. Это обеспечивает повышенную надежность прибора, поскольку р - п-переходы изолированы от влияния внешней среды. Варианты планарной технологии отличаются способами изоляции активных элементов ( диодов, транзисторов, резисторов) друг от друга. Электрическая изоляция может быть осуществлена обратно смещенным р - n - перехцдом или диэлектрической пленкой двуокиси кремния. Иногда используют комбинированный способ изоляции. [30]

Страницы: 1 2 3 4