Гибридно-пленочная технология
Cтраница 1
Гибридно-пленочная технология отличается гибкостью. [1]
Избежать указанного недостатка позволяет гибридно-пленочная технология. Она обеспечивает производство ИС, у которых на диэлектрических подложках создаются пленочные элементы, а также располагаются навесные бескорпусные активные элементы и другие миниатюрные пассивные элементы. [2]
К широкому диапазону схемотехнических возможностей гибридно-пленочной технологии следует добавить сравнительно небольшие первоначальные затраты на подготовку производства и сокращенный по сравнению с полупроводниковыми ИС цикл их проектирования и изготовления. [3]
Применение фильтров на ЭСП при использовании гибридно-пленочной технологии является наиболее предпочтительным, так как, с одной стороны, позволяет расширить спектр воспроизводимых волновых сопротивлений фазосдвигающих четырехполюсников, а с другой - существенно снизить габариты делителей мощности. [4]
 |
Типовая структурная схема высоковольтного блока питания. [5] |
Электрические схемы ГИСН не отличаются от привычных схем стабилизаторов на дискретных полупроводниковых приборах, а методы гибридно-пленочной технологии в сочетании с идентичностью процессов позволяют получать стабилизаторы с лучшими параметрами, чем полупроводниковые интегральные стабилизаторы на одном кристалле. Однако надежность ГИСН значительно ниже, а стоимость значительно выше, чем ИСН. Поэтому гибридные стабилизаторы находят ограниченное применение, в основном, в устройствах, которые изготовляются малыми сериями. [6]
 |
Зависимость числа вентилей цифрового фильтра от его параметров. Нижние точки графика ( / соответствуют последовательной схеме, верхние ( / / - параллельной. [7] |
Наибольший объем в цифровом фильтре может занимать аналого-цифровой преобразователь. С помощью гибридно-пленочной технологии разработаны достаточно компактные АЦП. [8]
Из-за малых паразитных емкостей, хорошей взаимной изоляции элементов и возможности использования высококачественных навесных активных элементов гибридно-пленочные ИС имеют лучшие частотные и импульсные свойства, чем схемы на обычных дискретных элементах. Благодаря этим особенностям гибридно-пленочная технология является перспективной для производства аналоговых ИС, отличающихся большим разнообразием функций. [9]
Один из вариантов практической реализации схемы аттенюатора иа П - образиых ФВЧ при помощи гибридной технологии изображен на рис. 6.12, в. В качестве p - i - n диодов использовались диоды 2А517А, а в качестве емкостей фильтров н блокировочных емкостей - конденсаторы KlO-9, резисторы н катушки индуктивности выполнены методами гибридно-пленочной технологии. Результаты экспериментального исследования макета аттенюатора, выполненного по вышеуказанной топологии, приведены иа рис. 6.12, г. Для дальнейшего увеличения ослабления аттенюатора необходимо увеличивать число p - i - n диодов, находящихся в режиме центрального диода аттенюатора. [10]
Аналоговые микросхемы различного функционального назначения разрабатываются в полупроводниковом и в пленочном исполнении. Таким образом, гибридно-пленочная технология обладает более широкими возможностями для реализации аналоговых микросхем. [11]
Гибридные интегральные стабилизаторы выполняются с применением бескорпусных интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, размещенных на диэлектрической подложке, на которую методами тонкопленочной или толстопленочной технологии нанесены резисторы и соединительные проводники. На подложке размещаются также необходимые дискретные элементы - бескорпусные конденсаторы, переменные резисторы и др. ГИСН выполняются в виде законченных устройств на фиксированные уровни выходных напряжений, например 5; 6; 9; 12; 15 В. С использованием мощных бескорпусных транзисторов и маломощных схем управления, выполненных по гибридно-пленочной технологии, изготовляются стабилизаторы, рассчитанные на большие токи, например, до 5 А. [12]
Условные обозначения отечественных интегральных схем состоят из ряда элементов. Первая цифра в обозначении ИС, стоящая перед группой из двух букв, и две - сразу после нее образуют номер серии; причем первая цифра номера серии показывает технологический тип ИС: 1-полупроводниковые ИС, 2 - гибридно-пленочные ИС. Группа из двух букв означает функциональную разновидность интегральной схемы. После цифр, входящих в номер серии, в обозначении приводится число, указывающее номер разработки данной разновидности ИС в данной серии. Буква, стоящая в конце обозначения, если она есть, указывает на значения отдельных электрических параметров или эксплуатационные режимы микросхемы. Если перед обозначением - ИС или серии ИС стоит буква К, это означает, что схема предназначена для широкого применения. Например, обозначение К2ТКД71Б говорит о том, что эта интегральная схема серии К217 выполнена по гибридно-пленочной технологии, предназначена для широкого применения, содержит триггер с комбинированным запуском ( так расшифровываются буквы ТК), номер разработки - первый, буква Б в данном случае указывает на повышенное быстродействие триггера. [13]
Страницы: 1