Cтраница 2
Концентрации электронов, их энергетическое распределение, а также напряженность поля в плазме чаще всего измеряют с помощью электрических зондов. Для измерений концентрации электронов используют также метод сверхвысокочастотного резонатора. Сведения о температуре газа получают термопарным или другим контактным методом, а также - спектральными методами. Химический состав плазмы изучают с помощью спектральных, масс-спектрометрических методов, метода ЭПР, хроматографии, химического титрования. [16]
Границы диапазонов измеримых концентраций электронов, приведенные в табл. V.2, сдвинулись по отношению к приведенным в табл. V. Успех этого метода измерения концентрации электронов определяется результатом независимого измерения величины vm, и если vm зависит от скорости электронов, необходимо также знать температуру электронов для выполнения усреднения величины vm по всем скоростям электронов. [17]
Скорости диффузии их низки, и обычно они не могут мигрировать на большие расстояния, что, однако, является необходимым условием приведения кристалла в состояние равновесия с внешней средой при обычных температурах. Для достижения равновесия приходится повышать температуру, но в таком случае результаты измерений концентрации электронов и дырок, выполненных при низких температурах, следует интерпретировать достаточно осторожно, так как концентрации дефектов, характерные для высокой температуры, отличаются от измеренных экспериментально. В зависимости от скорости охлаждениями скорости диффузии значения концентраций могут быть промежуточными между равновесными и измеренными при данной температуре. [18]
К настоящему времени проведено большое число экспериментальных исследований спектрального состава и временных характеристик излучения ударно-сжатого воздуха него компонентов. Измерение концентрации электронов позволяет определить степень ионизации во фронте ВУВ и анализировать кинетику термической ионизации газов при высоких температурах. [19]
Микроскопический коэффициент диффузии DR соответствует микроскопической подвижности или, как ее иногда называют, подвижности электронов по Холлу. Если F-центры вызывают оптическое поглощение - как это имеет место в случае F-центров у галогенидов щелочных металлов - коэффициент диффузии может быть найден по скорости перемещения центров окрашивания. Диффузия, а следовательно, и направленная подвижность может быть изучена путем измерения концентрации электронов. [20]