Cтраница 4
Штарковское смещение в зависимости от типа перехода имеет значение 1 - 3 Гц-Вт - 1 см2 и может увеличиваться на порядок и более при наличии в молекулах эквидистантной колебательной структуры между резонансными уровнями. [46]
ЭДС, полярность которой определяется типом перехода. [47]
Значение насыщающей интенсивности / определяется типом перехода, его однородной шириной и временем релаксации населенностей Tv. [48]
![]() |
Зависимость интенсивности РТЛ от температуры ( кривая высвечивания для полиизобутилена. [49] |
В частично-кристаллических полимерах могут обнаруживаться все типы переходов, присущие некристаллическим полимерам, и, кроме того, максимумы, связанные с кристаллическими областями: 1) плавление кристаллических областей; 2) переход из одной кристаллической модификации в другую; 3) движение боковых групп в пределах кристаллических областей; 4) взаимодействие между некристаллическими и кристаллическими областями и 5) внутреннее трение при движении внутри кристаллических областей. [50]
Рассматриваются происходящие на междоузлиях фазовые превращения типа переходов порядок - беспорядок, процессы распада, диффузия. [51]
Правила отбора, характерные для этого типа переходов, требуют поглощения или испускания фонона с моментом, равным разности моментов электрона в начальном и конечном состоянии. [52]
Между четырьмя уровнями (1.50) возможны два типа переходов. [53]
![]() |
Схематическое изображение фотоэлектронного спектра.| Реальный фотоэлектронный спектр. полосы 2 и 3 имеют колебательную структуру. [54] |
На рис. 11.6 изображены два важнейших типа переходов: вертикальный переход и адиабатический переход. Переход второго типа происходит в основное колебательное состояние молекулярного иона. [55]