Тип - стабилитрон
Cтраница 1
 |
Схема ультралинейного оконечного каскада. [1] |
Тип стабилитрона выбирается из следующих соображений: 1) рабочее напряжение стабилитрона должно быть равно напряжению смещения; 2) максимальное значение постоянной составляющей анодного тока каскада должно быть равно или меньше максимального тока стабилитрона. [2]
Типы стабилитронов и значение входного напряжения здесь не указаны и могут выбираться в зависимости от конкретных требований. [3]
Тип стабилитрона и схема соединения электродов с выводами для стабилитронов, выпускаемых в корпусе КД-4, приводятся на корпусе. [4]
Выбираем тип стабилитрона по табл. 14 приложения. [5]
Выбирается тип стабилитрона и его параметры. [6]
 |
Зависимость /. а / ( / ст для стаби - j литрона типа Д-818.| Пример схемы со стабилитроном. [7] |
При выборе типа стабилитрона необходимо учитывать; что напряжение на стабилитроне должно быть не меньше напряжения на нагрузке. [8]
При выборе типа стабилитрона необходимо учитывать, что напряжение на стабилитроне должно быть больше допустимого напряжения на нагрузке. [9]
Основные параметры некоторых типов стабилитронов, имеющих широкое применение, приведены в табл. 26 ( см. стр. [10]
 |
Схема выпрямителя.| Схема выпрямителя с опорным напряжением.| Схема получения двух выпрямленных напряжений. [11] |
Селеновые столбики и некоторые типы стабилитронов проверить омметром сложно, так же как и сопротивление утечки некоторых диодов, их проверяют методом исключения или замены. [12]
Путем расчета нужно выбрать типы стабилитрона и транзисторов и определить: 1) номинальное напряжение Un ( при питании стабилизатора от выпрямителя Un - U0), 2) номинальные сопротивления и мощности рассеяния резисторов, 3) коэффициент стабилизации напряжения kcs, 4) выходное сопротивление стабилизатора гвых. [13]
Динамическое сопротивление зависит от типа стабилитрона и лежит в пределах от долей ома до сотен ом. [14]
Динамическое сопротивление зависит от типа стабилитрона и лежит в пределах от сотен ом до одного мегома для газоразрядных стабилитронов и от долей ома до сотен ом для полупроводниковых. [15]
Страницы: 1 2 3 4