Тип - полупроводниковый триод
Cтраница 1
 |
Схемы полупроводниковых стабилизаторов напряжения. [1] |
Тип регулирующего полупроводникового триода / 7Я2 для стабилизатора выбирается в зависимости от тока нагрузки. Коэффициент усиления по току и сопротивление коллектора лк этого триода должны быть возможно большими. [2]
Известно несколько типов полупроводниковых триодов, из которых пока наибольшее практическое значение приобрели плоскостные триоды, представляющие собой монокристаллы с двумя или большим числом р - л-переходов, и полупроводниковые триоды с точечными контактами, которые будут описаны в двух следующих параграфах. [3]
В настоящее время отечественной промышленностью выпускается много типов полупроводниковых триодов, позволяющих решить почти все проблемы, возникающие при конструировании радиометрической аппаратуры. [4]
Описанные в этом параграфе четыре измерения применяются для определения параметров и сравнения многих типов полупроводниковых триодов. Поэтому читателю важно понять методику измерений и значение получаемых результатов. [5]
Однако такое преобразование целесообразно лишь в том случае, когда имеется достаточно большая группа документов с общим рядом одинаковых по смыслу данных, имеющих разное количественное значение, например группа справочных документов, включающих параметры раз-личных типов полупроводниковых триодов. [6]
 |
Принципиальная схема одного. [7] |
На схеме рис. 6 - 23 показаны полярности смещения для плоскостного р-п - р триода. Тип полупроводникового триода, п-р - п или р-п - р, указывается на схеме направлением маленькой ] стрелки ] HBj [ эмиттерном соединении. Когда острие стрелки направлено к базе, как применяется триод. [8]
Кристаллический триод или транзистор благодаря своим небольшим габаритам, прочности, отсутствию необходимости в подогреве и тому, что для них нужны лишь невысокие напряжения и мощности, представляют собой очень перспективный усилительный элемент. Существуют два основных типа полупроводниковых триодов: точечные и плоскостные. Первый более пригоден в пусковых, второй - в усилительных и фиксирующих схемах. Принцип действия этих элементов был объяснен в предыдущем разделе, посвященном кристаллическим диодам. [9]
Отпадает необходимость обеспечить короткое замыкание низкоомной цепи эмиттера; использование параметров h дает те же преимущества, что и использование параметров г, так как А12 и Л22 измеряются при разомкнутой цепи эмиттера. Поскольку входное сопротивление некоторых типов полупроводниковых триодов может быть весьма низким, возникают трудности в создании эффективного короткого замыкания таких сопротивлений. Если же использовать параметры h, то при измерении Й12 и Л22 входная цепь должна быть разомкнута. [10]
Однако неограниченно увеличивать сопротивление резистора RK с целью увеличения коэффициента Ки нельзя, поскольку при этом линия нагрузки проходит очень низко по выходным характеристикам и резко уменьшается линейный участок переходной характеристики, что приводит к значительным нелинейным искажениям. На практике сопротивление резистора RK для усилительных каскадов с общим эмиттером выбирается в диапазоне от нескольких килоом до нескольких десятков килоом в зависимости от типа полупроводникового триода. [11]
Из уравнения (8.19) видно также, что для плоскостного триода, у которого - а всегда меньше единицы, / всегда положительно. Имеется поэтому существенная разница между возможной неустойчивостью точечно-контактных полупроводниковых триодов с закороченным выходом и постоянной устойчивостью плоскостных триодов при сходных условиях работы. Условие устойчивости при коротком замыкании выхода часто оказывается решающим при выборе типа полупроводникового триода для той или иной схемы. [12]
Страницы: 1