Тип - точечный дефект
Cтраница 1
Типы точечных дефектов и методы их определения обсуждены в гл. [1]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [2] |
Рассмотрим типы точечных дефектов кристаллической решетки. На рис. 70, а приведена идеальная кристаллическая решетка; решетка с атомами в междоузлиях и вакансиями ( Френкель) показана на рис. 70, б, а возникновение вакансий за счет поверхностного испарения ( Шоттки) приведено на рис. 70, в. Вакансии в кристалле перемещаются, так как их место может быть занято соседними атомами. Вакансии могут скапливаться в каком-нибудь одном месте - коагуляция вакансий. [3]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [4] |
Рассмотрим типы точечных дефектов кристаллической решетки. [5]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [6] |
Рассмотрим типы точечных дефектов кристаллической решетки. На рис. 69, а приведена идеальная кристаллическая решетка; решетка с атомами в междуузлиях и вакансиями ( Френкель) показана на рис. 69, б, а возникновение вакансий за счет поверхностного испарения ( Шоттки) приведено на рис. 69, в. Вакансии в кристалле перемещаются, так как их место может быть занято соседними-атомами. Вакансии могут скапливаться в каком-нибудь одном месте - коагуляция вакансий. [7]
 |
Точечные дефекты в кристаллах. [8] |
Существует четыре основные типа точечных дефектов - вакансии, примесные атомы замещения и внедрения, дислоцированные атомы, дефекты Френкеля. Вакансии ( рис. 2.1, а) являются наиболее часто встречающимися точечными дефектами и представляют собой свободные узлы в кристаллической решетке. [9]
Если записать полную систему соотношений равновесия для всех четырех типов точечных дефектов, дополнив ее соотношением Дюгема - Маргулеса, то можно определить, как это сделал Ва-ленси [7], равновесную разупорядоченность как функцию макроскопического - состава. [10]
Рассмотрим соединение MXS, где s - отношение X к М в сте-хиометрическом соединении. Если считать, что в решетке существует одновременно не более двух типов точечных дефектов, то в стехиометриче-ских соединениях возможны девять наборов пар дефектов, характеризующих внутреннее разупорядочение ( табл. II. Заметим, что в каждой паре один из дефектов вызывает положительное отклонение от стехиометрии, а второй - отрицательное. [11]
Большое влияние на массоперенос оказывают также инородные примеси, растворенные в кристалле. В этом случае наряду с вакансиями и междоузель-ными атомами Следует учитывать еще один тип точечных дефектов, кристаллической решетки - дефекты замещения. [12]
Расчет, который в общем случае очень сложен, показывает, что DM действительно зависит от концентрации. Однако, если какой-либо тип дефектов преобладает, расчет можно упростить. По этой причине обычно рассматривают крайние случаи разупорядочения ( 18 ], в которых принимается, что в решетке существует лишь один тип точечных дефектов. Тогда выражение для /) м сильно упрощается и зависимость от концентрации исчезает. [13]
Другим направлением проводимых исследований является изучение процессов дефектообразования при ионной имплантации пластин арсени-да галлия. Было изучено влияние режимов имплантации, типа и режимов постимплантационного отжига на структуру имплантированных слоев. Установлено влияние поверхности подложки на концентрацию и тип точечных дефектов, образующихся при имплантации. Показано, что в процессе активирующего отжига происходит пространственное разделение межузельных атомов и вакансий и обогащение поверхностного слоя последними. Изучены механизмы влияния дислокационной структуры подложек на характер распределения имплантированной примеси и радиационных дефектов по площади подложек. Результаты исследований представляют практический интерес при разработке процессов импланта-ционного легирования полупроводников. [14]
На рис. 5.1 схематически показаны пять возможных механизмов воздействия излучения. Вакансии образуются как результат первичного столкновения нейтрона с атомом. Этот нейтрон продолжает испытывать столкновения с атомами до тех пор, пока не растратит свою энергию. Вторичный эффект является следствием передачи энергии нейтроном атому, с которым он столкнулся. Этот атом сталкивается с другими атомами, выбивая их из мест, занимаемых ими в кристаллической решетке, и передавая им энергию. В конце концов, выбитый атом теряет всю энергию и остается в промежуточном положении кристаллической решетки. Таким образом, при столкновении нейтронов и атомов решетки образуются два типа точечных дефектов - вакансии и смещенные атомы, расположенные в междоузлиях. [15]
Страницы: 1