Измерение - обратное напряжение - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если тебе трудно грызть гранит науки - попробуй пососать. Законы Мерфи (еще...)

Измерение - обратное напряжение

Cтраница 1


Измерение обратного напряжения в сплавах твердого раствора показало, что с увеличением содержания А12Те3 обратное напряжение растет от 3 - 5 в для AlSb до 18 в для сплава с 12 68 вес.  [1]

Для измерения постоянного обратного напряжения на диоде Uобр при заданной величине обратного тока / 0бР используется схема, изображенная на рис. 2.12. В этой схеме испытываемый диод ИД через микроамперметр ИТ подключен к генератору постоянного тока ГТ.  [2]

3 Блок-схема измерения обратного напряжения.| Принципиальная схема измерения обратного напряжения. [3]

Схема генератора постоянного тока для измерения обратного напряжения аналогична схеме рис. 2.6 и отличается от нее лишь тем, что в ней вместо транзистора используется вакуумный тетрод, а испытываемый диод и опорный стабилитрон включены в обратной полярности.  [4]

5 Принципиальная схема для измерения обратных вольт-амперных характеристик вентилей. [5]

Плавное регулирование обратного напряжения производится с помощью автотрансформатора AT. Измерение обратного напряжения производится вольтметром V, показывающим среднее значение.  [6]

Поэтому межоперационные измерения прямого падения напряжения выполняют при значении прямого тока, соответствующем ожидаемому типу стабилитрона. Аналогично измерения обратного напряжения производят при соответствующем значении обратного тока.  [7]

Метод измерения постоянного обратного тока Диоды полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения Диоды полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока Диоды полупроводниковые.  [8]

Необходимо дать дополнительные пояснения по измерению предельного напряжения С / пр. На практике лучше всего проводить измерение обратного напряжения на переходе при максимальной рабочей температуре, так как у некоторых транзисторов величина тока утечки эмиттерного перехода довольно велика и характеристика пробоя перехода имеет плавный вид.  [9]

В том случае, когда необходимо проверить исправность диода, работающего в схеме при поданном напряжении, измеряют на нем падение напряжения в прямом и обратном направлениях. В первом случае напряжение должно быть мало, а во втором велико. Если напряжение на диоде, измеренное в прямом направлении, велико, значит, он неисправен - обрыв. Другая неисправность - пробой - выявляется при измерении обратного напряжения, которое при этом будет близко к нулю.  [10]



Страницы:      1