Другой тип - схема
Cтраница 1
 |
Диаграмма напряжений, возникающих в выходной цепи транзисторов ФЧВ.| Схема активного одно-полупериодного ФЧВ с двусторонней электропроводностью транзисторов. [1] |
Другой тип схемы однополупериодного ФЧВ с использованием двусторонней электропроводности транзисторов приведен на рис. 5.20. При наличии положительной полуволны входного напряжения оба транзистора будут открыты и в коллекторной цепи обоих будет протекать ток нагрузки, обусловленный величиной нагрузочного сопротивления и опорным напряжением. [2]
Другие типы схем с источниками тока рассматриваются в разд. [3]
 |
Схема активного одно-полупериодного ФЧВ с двусторонней электропроводностью триодов. [4] |
Другой тип схемы однополуперйодного ФЧВ с использованием двусторонней электропроводности триодов приведен на рис. 6.22. При наличии положительной полуволны входного напряжения оба триода будут открыты и в коллекторной цепи обоих будет протекать ток нагрузки, обусловленный величиной нагрузочного сопротивления и опорным напряжением. [5]
Другой тип схем управления основан на создании градиентов поля с помощью ферромагнитных пленочных элементов, которые нанесены на пленку с ЦМД и намагничиваются под действием внешнего магнитного поля, лежащего в плоскости пленки. По конфигурации ферромагнитных элементов различаются схемы управления Т, Y, X и ряда других типов. На рис. 77 показан пример управляющей структуры jT - типа. Структура состоит из Г - образных и полосовых элементов, в качестве материала для которых используется магнитномягкий пермаллой ( - 80 % Ni и 20 % Fe) с малым значением коэрцитивного поля. Толщина этих элементов составляет около 5000 Л, отношение длины к ширине полосок равно 5, а расстояние между полосками и пх ширина равны прп-мерно половине диаметра доменов. Относительно большая толщина выбирается из тех соображений, чтобы избежать намагничивания элементов до насыщения полями рассеяния самих доменов. При соотношении сторон элементов 5: 1 возникает достаточно заметная анизотропия формы ( поле размагничения вдоль полоски значительно меньше, чем поперек), в результате которой внешнее магнитное поле, параллельное длине полоски, намагничивает элемент до насыщения, а перпендикулярное поле той же величины не действует на намагниченность. [6]
 |
Схема кольцевой пересчетной схемы на 5 ( триоды П16Б. [7] |
Другим типом схем, позволяющих реализовать десятичный счет, являются двоичные счетчики с принудительным сбросом. Сущность работы таких устройств состоит в следующем. [8]
Рассмотрим другой тип схемы, в которой дешифратор собран из логических элементов, а роль шифратора может быть приписана пересчетной схеме. Как видно из рис. 8.12, схема коммутатора на шестнадцать выходов состоит из четырех триггеров, объединенных в пересчетную схему, и дешифратора. Управление пересчетной схемой может осуществляться двумя способами. При последовательной записи кода на вход пересчетной схемы подаются сигналы от тактового генератора. [9]
Рассмотрим другой тип схем - локально-одномерные схемы. Их построение основано на введении на каждом шаге по времени промежуточных этапов, на каждом из которых записывается одномерная аппроксимация по одному из пространственных направлений. Многомерная задача расщепляется на последовательность одномерных задач по каждой из координат. Поэтому такие схемы - называют схемами расщепления по координатам. [10]
Рассмотрим другой тип схем - локально-одномерные схемы. Их построение основано на введении на каждом шаге по времени промежуточных этапов, на каждом из которых записывается одномерная аппроксимация по одному из пространственных направлений. Многомерная задача расщепляется на последовательность одномерных задач по каждой из координат. Поэтому такие схемы называют схемами расщепления по координатам. [11]
На рис. 1.11 показан другой тип схем с отрицательной обратной связью. В схеме на рис. 1.11 а для получения отрицательной обратной связи по току исключен конденсатор, которым обычно шунтируют резистор R2 в цепи эмиттера. Поскольку здесь используется транзистор р-п-р-типа, для создания прямого смещения необходимо, чтобы эмиттер был положительным относительно базы. Для получения обратного смещения коллекторного перехода на коллектор подается отрицательное напряжение. В результате ток, протекающий по резистору в цепи эмиттера, создает падение напряжения указанной на рисунке полярности. Поскольку это падение напряжения на резисторе сопротивлением 330 Ом устанавливает потенциал эмиттера отрицательным относительно потенциала базы, имеет место отрицательная обратная связь. [12]
Разработка структурной схемы предшествует разработке других типов схем. [13]
Кроме принципиальной схемы на этой стадии разрабатывают и другие типы схем: структурные, функциональные, соединений, общую. [14]
 |
Схема для расчета надежности. [15] |
Страницы: 1 2 3