Cтраница 2
При измерениях образцов с различной полировкой было замечено, что состояние поверхности влияет на ширину резонансной кривой. [16]
При измерении образцов по ширине допускается погрешность не более 1 мм, при измерении по толщине - не более 0 01 мм. [17]
![]() |
Поперечное поле, обусловленное эффектом Холла.| Измерение удельного сопротивления четырех-зондовым методом. [18] |
При измерении образцов полупроводника с размерами d, I, h, соизмеримыми с межзондовым расстоянием L, вводится поправочный множитель F, который зависит от граничных условий измерения. [19]
При измерении образцов неопределенной формы столик снимают, а образец прижимают непосредственно к эллипсоиду. [20]
При измерениях образцов любой формы учитывается поправка на магнитный поток, проходящий между образцом и измерительной обмоткой. [21]
При измерении образца очень малых размеров ( например, цилиндров с размерами диаметр - 8 - 10 мм и длина - 6 - 10 мм) описанный выше метод определения равенства нулю напряженности магнитного поля не годится, так как для этой цели требуется потенциалометр столь малых размеров, что его принципиально нельзя сделать достаточно чувствительным. [22]
После каждого измерения образца, перед тем как начать следующее, производили градуировочные измерения. [23]
Иногда необходимо проводить измерение образца в масс-спектрометре в некотором интервале температур. В некоторых случаях натекатель может соединять образец с ионизационной камерой, в других давление образца может быть столь низким, что необходимость в натекателе отпадает, и образец соединяется с ионизационной камерой непосредственно линией большого диаметра. При проведении любых измерений обычно работают с ионизационной камерой при определенной температуре, а баллон напуска и натекатель поддерживают при одной и той же ( изменяемой) температуре, так что в области низкого давления всегда имеет место градиент температуры. [24]
![]() |
Изменение потенциала хромового анода во времени. [25] |
Помимо этого результаты измерения образцов, хромированных при разных температурах электролита ( рис. 8), свидетельствуют о том, что образцы с осадками хрома, полученными при более высоких температурах, обладают более положительным анодным потенциалом. [26]
При выборе методов измерений образца и вычислений напряжения aj и деформации 8j необходимо учитывать следующие обстоятельства. Площадь F0 поперечных сечений рабочего участка образца в его исходном состоянии при точности изготовления образца согласно ГОСТам может быть неодинаковой. Для образцов, вырезанных из труб и других полуфабрикатов, это различие может достигать 5 % н более вследствие разнотолщинности, так как обработка поверхностей образца для выравнивания толщины обычно не допускается. [27]
Скорость счета при измерении образца составила 5620 имп / мин, при измерении активности эталона - 826 имп / мин; фон за 10 мин измерения составил 330 имп. [28]
Иногда испытание производят путем измерения образца, предварительно нагретого до какой-то одной определенной температуры, и поэтому часто невозможно сказать, чему подвергается образец в процессе нагревания - росту или усадке. Если же подобное испытание повторяется при различных температурах, то тогда также трудно сопоставить полученные результаты. В этих случаях, результаты испытания указывают только на окончательное изменение между размерами образца в холодном состоянии перед нагревом и в холодном состоянии после охлаждения без каких-либо указаний на то, каковы были изменения в размерах в ходе испытания. Между тем во многих случаях образцы во время нагрева могут более или менее постоянно расширяться, иногда происходит случайная усадка или вспучивание, которые в процессе выдержки образца при высокой температуре могут сохраниться или не сохраниться; кроме того, в период охлаждения проявляется термическая усадка. Эти положения показывают, что исследования дополнительных роста и усадки размеров образца могут дать значительно более полные результаты, если проводить их при помощи установок, позволяющих получать кривую изменений размеров в течение всего времени испытания. [29]
В настоящее время для измерения образцов наиболее часто используют спектрометрию ядерных излучений и прежде всего - спектрометрию на основе полупроводниковых Ge ( Li) - детекторов. Изучение энергетического распределения у-излучення, сопоставление с типом и энергией активирующих частиц позволяют установить состав образующихся радионуклидов, а тем самым в большинстве случаев однозначно и элементный состав образцов. Естественно, что при более простом составе образцов результаты получаются более надежными и точными. Вместе с тем на погрешность анализа влияет и соотношение отдельных компонентов в изучаемой смеси элементов. [30]