Измерение - общее - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Спонсор - это человек, которому расстаться с деньгами проще, чем объяснить, откуда они взялись. Законы Мерфи (еще...)

Измерение - общее

Cтраница 1


Измерения общего и в особенности парциального давления насыщенного пара над растворами является одним из основных источников сведений о термодинамических свойствах растворов.  [1]

2 Блок-схема расходомера РГР-7.| Расходомер ЭМР-2. [2]

Для измерения общего и дифференциального расходов разработан емкостный датчик уровня раствора, в емкостях. Измеритель емкости в нем реагирует фактически на электрическую емкость датчика, заполненного раствором. Этот принцип обеспечивает независимость регистрации уровня от степени минерализации бурового раствора и гго физических свойств. Датчик не имеет движущихся частей и механических связей, что обусловливает его высокую надежность.  [3]

На основании измерения общего и парциального давлений при t 40 найдено, что в пределах ошибки опытов точки ложатся на прямые линии, то есть система подчиняется закону Рауля.  [4]

Предложено приспособление для измерения общего кол-ва пробы, пропорционального сумме площадей пиков всех компонентов. Таким приспособлением может служить компенсационная часть ячейки детектора. Вычисленный фактор пропорциональности позволяет определить значения площади пиков отдельных компонентов смеси в процентах от суммы площадей пиков.  [5]

6 Функциональная схема - отечественного радиоизотопного пылемера. [6]

Пробоотборная трубка длиной 2 м снабжена дву - мя дополнительнвгми трубками, которые соединяются с микроманометром и служат для измерения общего и статического давлений, необходимых для определения скорости пыле-газового потока. По результатам измерения скорости пыле-газового потока регулируют скорость пробоотбора для соблюдения условия изоки-нетичности.  [7]

Для измерения динамического давления применяют дифференциальный манометр ( рис. 23), у которого одно из колен трубки служит для измерения общего, а другое - статического давления.  [8]

Существуют экспериментальные методы, позволяющие измерять относительные значения химических потенциалов компонентов раствора непосредственно ( методы гетерогенных равновесий), но для их определения пригодны и измерения обычных общих, интегральных, как их называют в термодинамике растворов, свойств.  [9]

Однако это не кажется убедительным, так как при выводах и расчетах приняты весьма далекие от действительности допущения и предположения ничего не сказано о методе измерения общих и удельных потерь, который сам по себе представляет не простую задачу.  [10]

11 Зависимости начальной магнитной проницаемости IJ. H, тангенса угла потерь tg 6 на частоте / 100 кгц при НЛ 0 8 а / м ( - 10 мэ и коэффициента потерь на гистере зис Зг от п ( содержания Zn для ферритов Mnj nZnnFe. 04 спеченных при 1370 С и затем охлажденных по вакуумной программе IV. [11]

Учитывая, что удельное сопротивление р ферритов с избытком МпО выше 103 ом-м ( 105 ом-см) ( см. § 4 - 7), а частота и амплитуда переменного поля при измерении общего tgo малы, можно тангенс угла потерь, измеренный при / - 100 кгц и Яд 0 8 а / м ( - 10 мэ), приравнять к тангенсу угла начальных потерь, не зависящих от частоты. Эти потери, вероятно, связаны с большими внутренними напряжениями, возникающими в кристаллической решетке ферритов. Тетрагональное искажение решетки шпинели было обнаружено у Mn-Zn - ферритов ( см. § 4 - 3) лишь при избытках МпО 20 мол. S, начиная с малых количеств Мп3О4 в твердых растворах Mn-Zn - ферритов.  [12]

Такие нейтроны не будут отражаться от небольших кристаллов вещества и будут проходить через вещество. Этот пучок может быть использован для измерения общего эффективного се-чештяз различных веществах для нейтронов очень малых энергия.  [13]

Излагаются сведения по кинетической теории газов, физике вакуума и процессам на поверхности твердых тел, соприкасающихся с газами. Приводятся методы расчета вакуумных систем, современные средства откачки, измерения общего и парциального давлений, методы обнаружения мест натекания. В отличие от первого издания 1975 г. во втором приводятся принципы построения вакуумных систем оборудования для нанесения тонких пленок и других установок полупроводникового производства.  [14]



Страницы:      1