Смешанный тип - связь
Cтраница 2
Часто при обсуждении природы связи в А В используются кристаллографические данные, относящиеся а основном к наблюдению межатомных расстояний и координации атомов или, в некоторых случаях, диаграмм электронной плотности, вычисленных из интенсивности рентгеновского излучения. На основании таких рассуждений сделан вывод, что тип связи изменяется преимущественно от ионного характера, например, в модификации высокого давления CdS к кова-лентному в модификации киновари HgS, и что в большинстве кристаллов со структурой вюртцита или цинковой обманки наблюдается смешанный тип связи. Ионная связь обусловливается кулоновским взаимодействием между избыточными положительными и отрицательными зарядами на ионах, образованных в результате перехода электронов от металлического к неметаллическому элементу. [16]
Таким образом, электрон движется по своего рода частично распределенной орбите. Вследствие этого химическая связь в молекуле HF осуществляется частично ионными, частично обменными ( приводящими к образованию гомеополярной связи) силами. Главные характеристики смешанного типа связи зависят от того, какой вид связи - ионный или гомеополярный - преобладает в нем. Эти вещества представляют собой соединения элементов III и V групп периодической системы элементов. [17]
 |
Энергия димеризации некоторых молекул в газообразном состоянии. [18] |
По характеру связи вещества классифицируют по следующим типам: атомные ковалентные, атомные металлические, ионные и молекулярные. Сразу отметим, что это деление очень условно. Подавляющее большинство веществ обладает смешанным типом связи. [19]
Таким образом, изменения в приведенных модулях должны быть прямо связаны с характером связи. Eq - изотропная энергетическая щель для электронного газа, вводимая при расчете экранирования в полупроводниках; х - статическая электронная диэлектрическая постоянная; с - определяет разность электроотрицательностей ионов и отражает перенос заряда к более электроотрицательному иону. Для кристаллов с ковалентным и со смешанным типом связи Филлипс ввел модель [210], в которой валентные электроны делятся на часть, экранирующую голые ионы подобно электронному газу в металле, и часть, локализованную на связях между ионами А к В. [20]
 |
Модельные представления собственной и примесной электропроводности 16. [21] |
Как известно, основные типы межатомных связей в кристаллах: ковалент-ная, ионная, металлическая и связь Ван-дер - Ваальса. Величина энергии связи составляет от 0 1 эВ для твердых тел со связями Ван-дер - Ваальса до 7 эВ на атом и больше для ковалентных, ионных и металлических связей. Значительная часть полупроводников кристаллизуется в структуры с преимущественно ковалент-ными связями. Однако наряду с этим встречается также смешанный тип связи с некоторой долей того или иного типа, например связи ковалентно-ионного характера. [22]
Страницы: 1 2