Различный тип - кристалл
Cтраница 2
Если соли с общим ионом способны образовать двойную соль или образуют кристаллогидраты, то на диаграмме имеется столько же ветвей, описывающих составы насыщенных растворов, сколько различных типов кристаллов может выделяться из раствора. Например, на рис. 87 линия z - z, полученная при сечении объемной диаграммы плоскостью, отвечающей температуре 20 С, состоит из трех кривых, каждая из которых отвечает условиям начала кристаллизации одного из трех типов кристаллов, способных выделяться при этой температуре. [16]
Таким образом, экспериментально была показана воз можность одновременного совместного нахождения в данном образце кристаллов различного типа. В процессе кристаллизации различные типы кристаллов как бы борются за подлежащий кристаллизации материал, поскольку при этом никогда не наблюдалось большего изменения объема, чем при образовании однотипных кри сталлов. [17]
Подсчет числа фаз трудностей не встречает. Исходя из определения фазы, получаем, что в любой равновесной системе число кристаллических фаз равно числу различных типов кристаллов, причем учитываются как кристаллы, различающиеся по химическому составу, так и различные кристаллические модификации одинакового химического состава. Фаза может состоять как из одного кристалла, так и из массы мелких кристаллов одного типа. Число жидких фаз равно числу жидкостей различного состава, образующих отдельные слои или разбитых на капли. Число газообразных фаз не обязательно равно единице. При низких давлениях, когда расстояния между молекулами велики, все наличные газы и пары смешиваются в любых отношениях, образуя одну фазу. При высоких давлениях порядка тысяч атмосфер свойства газов и паров уже зависят от характера межмолекулярных сил, и в этих условиях смесь газов может расслаиваться. [18]
До сих пор мы рассматривали в основном геометрические характеристики кристалла, не вникая ни в природу частиц, образующих кристалл, ни в характер сил, удерживающих эти частицы на определенных расстояниях друг от друга. Между тем именно анализ физической природы этих сил позволяет понять как геометрию кристаллических решеток, так и различие в свойствах различных типов кристаллов. G точки зрения сил, действующих между частицами, образующими кристаллы, их можно условно разбить на четыре типа: ионные, атомные, молекулярные и металлические кристаллы. Ниже будет дан анализ характерных свойств этих типов кристаллов. Но предварительно мы должны сделать следую-щее замечание. [19]
До сих пор мы рассматривали в основном геометрические характеристики кристалла, не вникая ни в природу частиц, образующих кристалл, ни в характер сил, удерживающих эти частицы на определенных расстояниях друг от друга. Между тем именно анализ физической природы этих сил позволяет понять как геометрию кристаллических решеток, так и различие в свойствах различных типов кристаллов. С точки зрения сил, действующих между частицами, образующими кристаллы, их можно условно разбить на четыре типа: ионные, атомные, молекулярные и металлические кристаллы. Ниже будет дан анализ характерных свойств этих типов кристаллов. Но предварительно мы должны сделать следующее замечание. [20]
До сих пор мы рассматривали в основном геометрические характеристики кристалла, не вникая ни в природу частиц, образующих кристалл, ни в характер сил, удерживающих эти частицы на определенных расстояниях друг от друга. Между тем именно анализ физической природы этих сил позволяет понять как геометрию кристаллических решеток, так и различие в свойствах различных типов кристаллов. С точки зрения сил, действующих между частицами, образующими кристаллы, их можно условно разбить на четыре типа: ионные, атомные, молекулярные и металлические кристаллы. Ниже будет дан - анализ характерных свойств этих типов кристаллов. Но предварительно мы должны сделать следующее замечание. [21]
При кристаллизации стекла под высоким давлением получены а-формы сподумена и эвкриптита. Показано, что можно получать кристаллические формы как -, так и - германия и галлия, содержащие сподумен и эвкриптит. Для различных типов кристаллов получены ИК-спектры поглощения, рентгенограммы и значения коэффициентов термического расширения. Высказывается предположение, что нуклеированная кристаллизация исследованных стекол обусловлена осаждением изоморфной кристаллической фазы, на которой затем кристаллизуется основная фаза. [22]
 |
Схема и время излуч тельных ( сплошные стрелки и безызлу-чательных ( волнистые стрелки переходов. [23] |
Излучателыше переходы имеют обратную закономерность: чем больше расстояние между анергетдаесюими уровнями, тем более они вероятны и тем меньше их время. Исключение составляют так называемые запрещенные оптические переходы, совершающиеся между уровнями с одинаковой четностью. Для таких переходов время жизни оказывается значительно большим ( Ю-4 с), чем время: разрешенных оптических переходов ( 10 - 8 с), и существенно меняется для различных типов кристаллов. [24]
Первое состояние обнаруживается на рентгенограмме Лауэ появлением вместо пятен полос, которое называется астеризмом. При отжиге эти полосы разбиваются на линии из пятен. Для нас наиболее важным эффектом переползания является то, что дислокации через посредство этого процесса поддерживают равновесную концентрацию вакансий или дислоцированных атомов в кристалле при изменениях температуры и при наличии других процессов, нарушающих их концентрацию. Эффективность их в этом отношении различна для различных типов кристаллов по причинам, изложенным ниже. [25]
Все сказанное выше достаточно убедительно показывает, что метод, описанный в настоящем разделе, дает возможность более подробно исследовать процессы перескоков атомов в твердых веществах, чем другие методы. Он позволяет не только выявить механизм диффузии, но и исследовать более частные вопросы. Значения коэффициента корреляции в настоящее время известны для ряда механизмов миграции в различных типах кристаллов [65, 66], что дает возможность распространить применение этих методов на более широкий круг материалов. Однако для некоторых случаев значения коэффициента корреляции все еще не рассчитаны. [26]
 |
Снятие вырождения в плоском квадратном комплексе. Наружные точки изображают четыре лиганда, симметрично расположенных по осям х, у. [27] |
Если возмущение обусловлено электростатическим полем, то можно говорить об электростатическом расщеплении. Такая ситуация возникает, в частности, в ионных кристаллах ( например, в кристалле NaCl, который может быть представлен, как в гл. Именно в связи с этим вопросом Бете [18] впервые исследовал расщепление уровней разного типа симметрии. Поэтому часто ссылаются на расщепление уровней кристаллическим полем. Различные типы кристаллов соответствуют электростатическим полям, обладающим различной симметрией. От симметрии поля зависит характер расщепления уровней. Для глубокого изучения этого вопроса желательно знать теорию групп; однако многое можно уяснить И с помощью простых наглядных представлений. [28]
 |
Секториальное и зонарное строение некоторых типов кристаллов синтетического кварца, выявленных у - блучением. [29] |
Проведенными исследованиями было пока зано, что на различно ориентированных затравках образуются кристаллы с различной однородностью и различной степенью дефектности. Наиболее однородные и в значительной степени монопирамидные кристаллы удается получить именно на затравках указанных выше ориентации. На рис. 1 приведены фотографии кристаллов, получаемых на затравках различных ориентации. Следствием гранного механизма роста кристаллов синтетического кварца является их ярко выраженное секториальное строение. На 2 представлено идеализированное секториальное строение для различных типов кристаллов кварца. Захват структурных и неструктурных примесей существенно зависит от кристаллографической ориентации поверхности затравки скорости и других условий роста. [30]
Страницы: 1 2 3