Cтраница 2
В настоящее время все большее внимание уделяется созданию комплексов ППП, способствующих автоматизации проектирования АСУ. Примером такого комплекса может служить общее системное математическое обеспечение ( ОСМО), объединяющее в себе следующие функции: ввод данных с различных типов носителей ( перфокарты, перфоленты, магнитные ленты и диски); контроль документов данных; организация метабазы данных; организация обработки данных и обмена данных, хранимых на различных устройствах памяти; вывод данных с широкими возможностями их форматирования. [16]
Хотя поле влияет на величину коэффициента Холла и в вырожденных полупроводниках, однако это влияние при прочих равных условиях меньше, чем в невырожденных полупроводниках. Это видно, например, из соотношения (44.25) - при доминировании электронов в образовании поля Холла вырождение электронного газа приводит к независимости R от В. С точки зрения наглядных представлений об эффекте Холла зависимость R от В следует ожидать в тех случаях, когда магнитное поле меняет вклад в образование поля Холла носителей заряда различной энергии в невырожденных полупроводниках с одним типом носителей заряда или различных типов носителей заряда независимо от степени вырождения. [17]
Устройство такого типа используется для организации связи между машиной и человеком. В-третьих, это различные типы носителей информации, используемые во внешних запоминающих устройствах. Наконец, в-четвертых, нас будут интересовать отдельные параметры, влияющие на эффективность работы различных устройств ввода - вывода. [18]
Магниторезистивный эффект - увеличение сопротивления металлического образца, помещаемого в магнитное поле - описывается довольно сложной теорией. Магниторезистивный эффект будет наблюдаться в том случае [1], когда поверхность Ферми несферична, и особенно когда она содержит вклады электронов и дырок или электронов из двух зон. Если существуют два типа носителей, имеющие различный заряд, массу или время релаксации, то магнитное поле будет влиять на них по-разному. Соответственно будет изменяться и полная проводимость, представляющая собой векторную сумму двух компонентов. Этот механизм приводит к появлению поперечного маг-ниторезисторного эффекта, который примерно пропорционален квадрату напряженности магнитного поля Н, а в сильных полях приходит к насыщению. Особый случай представляет металл, у которого различные типы носителей имеют одинаковое время релаксации. [19]