Различный тип - транзистор
Cтраница 1
 |
Влияние температуры на характеристики биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. [1] |
Различные типы транзисторов обладают разными частотными свойствами. С повышением частоты коэффициент усиления транзистора снижается. Во-первых, сказывается влияние емкости Ск коллектора, приводящее к тому что усиленный ток ничинает замыкаться внутри транзистора. Во-вторых, с увеличением частоты появляется отставание по фазе переменного тока коллектора от переменного тока эмиттера, что вызвано инерционностью процесса перемещения носителей через базу от эмиттернного перехода к коллекторному, а также инерционное ью процессов накопления и рассасывания заряда в базе. [2]
Оценку взаимозаменяемости различных типов транзисторов следует производить по их основным параметрам: граничной частоте усиления, предельным значениям ТОКОБ и напряжений и допустимой мощности, рассеиваемой коллектором. [3]
Удельно-массовые показатели различных типов транзисторов целесообразно сравнивать с помощью отношения массы транзистора к максимально возможной мощности, коммутируемой транзистором. [4]
 |
Формальные эквивалентные схемы транзисторов.| Эквивалентная схема сплавного транзистора. [5] |
Эти зависимости оказываются разными для различных типов транзисторов, а также для одного типа транзисторов в пределах техноло-гич. [6]
В области НЧ, которая для различных типов транзисторов может ограничиваться частотами до единиц - сотен килогерц, все параметры эквивалентного четырехполюсника практически не зависят от частоты и выражаются вещественными числами, причем г - и ( / - параметры часто обозначают буквами т и g соответственно. [7]
Описанная схема может использоваться для измерений различных типов транзисторов при соответствующем изменении величин источников постоянного тока. [8]
 |
Соотношение между Л - параметрами транзистора в различных схемах включения. [9] |
В области низких частот, которая для различных типов транзисторов может ограничиваться частотами от единиц до сотен килогерц, все параметры эквивалентного четырехполюсника практически не зависят от частоты и выражаются вещественными числами, причем z - и ( / - параметры часто обозначают буквами г и g соответственно. [10]
При наличии устоявшихся эквивалентных схем и их параметров для различных типов транзисторов и диодов эти данные целесообразно вводить в ЭВМ заранее, создавая так называемую библиотеку моделей. Эти данные хранятся в ЭВМ на магнитных лентах и могут быть автоматически использованы, если в описании исходных данных указан лишь тип полупроводникового элемента. Наличие библиотеки дополнительно упрощает процедуру составления исходных данных. [11]
В книге приводится большое количество экспериментальных данных по ключевому режиму различных типов транзисторов и качественным показателям практических схем транзисторных модуляторов. [12]
 |
Сравнение инерционных. [13] |
Используя полученные соотношения, сравним численные значения этих граничных напряжений для различных типов транзисторов при температуре 20 С. [14]
В указанной области частот это соотношение подтверждается и экспериментами, проведенными для различных типов транзисторов. [15]
Страницы: 1 2