Маломощный тиристор

Cтраница 4

Для выравнивания обратного напряжения тиристоры шунтируют высокоом-ными резисторами. Кроме того, поскольку при переключении напряжение распределяется обратно пропорционально емкостям тиристоров, каждый из них следует шунтировать конденсатором. Равномерное распределение токов в маломощных тиристорах достигают последовательным включением резисторов с небольшим сопротивлением; в мощных приборах применяют двусторонние полупроводниковые ограничители напряжения. [46]

Схема бесконтактного выключателя.| Осциллограмма отключения тока короткого замыкания. [47]

На базе тиристорных элементов ( см. рис. 23 - 14) выполняются автоматические бесконтактные выключатели серии ВА81 на токи до 1000 А. Они предназначены для защиты электрических установок в сетях напряжением 380 / 660 В переменного тока частотой 50 - 60 Гц при перегрузках и коротких замыканиях, а также для коммутаций с различной частотой включения. Последний включается от напряжения коммутирующего конденсатора С через маломощный тиристор VS3, что обеспечивает снижение мощности схемы управления. Каждый выключатель состоит из трех силовых блоков с встречно-параллельно включенными основными тиристорами. [48]

Зависимость вклю.| Зависимость величины включающего тока управляющего электрода маломощного тиристора от величины шунтирующего сопротивления. [49]

Следует отметить, что самопроизвольное переключение тиристора из выключенного во включенное состояние может происходить вследствие паразитных наводок по анодной и управляющей цепям. С повышением температуры вероятность такого переключения увеличивается, так как уменьшаются значения включающего тока управляющего электрода и тока выключения. Обычно величина шунтирующего сопротивления составляет несколько килоом для маломощных тиристоров и несколько десятков или сотен Ом для тиристоров средней мощности. Улучшение стабильности тиристора подачей отрицательного смещения на управляющий электрод усложняет схему и применяется редко. [50]

Схема устройства триодного тиристора.| ВАХ триодного тиристора. [51]

Быстродействие тиристоров принято характеризовать временем их включения Твкл и временем выключения Твыкл. За время Твкл принимается интервал времени от начала управляющего импульса до момента, когда анодный ток нарастает до 0 9 от установившейся величины. Время включения главным образом зависит от инерционности составляющей трензисторной структуры с более широкой базой ( обычно p - n - р) и несколько уменьшается при увеличении амплитуды тока управляющего импульса. Для маломощных тиристоров Твкл составляет 1 - 10 икс, а для тиристоров средней мощности и мощных - несколько десятков микросекунд. [52]

Сформированный формирователем импульс усиливается оконечным усилителем и поступает на узел выходных цепей. Генератор пилы, узел сравнения 2 и генератор импульсов аппаратурно совмещены в ячейке, называемой формирователь импульсов. Входное устройство размещено в ячейке блок обратной связи и усилитель. Узел сравнения 2 и формирователь совмещены в одном транзисторе. Оконечный усилитель импульсов управления выполнен на маломощном тиристоре. [53]

Рассматривается схема тиристорно-транзисторных мультивибраторов ( ТТМ) с управляемыми и неуправляемыми тиристорами. Приводятся три принципа построения схем, различающихся способом выключения тиристора. Соответственно рассматриваются: ТТМ, использующие неустойчивый режим тиристора; ТТМ, использующие тиристорный релаксатор с индуктивностью и ТТМ с обратной связью между транзисторным каскадом и тиристором. По сравнению с мультивибраторами, выполненными исключительно на тиристорах или транзисторах, приводимые схемы обладают рядом качественных преимуществ. Основными из них являются значительная скважность; широкая и плавная регулировка длительности импульса и в некоторых схемах длительности паузы; хорошая температурная стабильность длительности импульса при использовании делителя напряжения или тринисторов со стабилитронами; отсутствие влияния нагрузки на параметры генерации; равенство амплитуды выходных импульсов напряжению источника питания. Анализ схем проводится с учетом применения отечественных маломощных тиристоров. [54]

Ток заряда регулируется изменением угла управления тиристоров, включенных совместно с силовыми диодами в схему полууправляемого трехфазного моста VI. Управление тиристорами выполняется по трех-каналыюму принципу. В одном из каналов ( в других это происходит аналогично) импульс управления формируется таким образом. Система управления питается от дополнительных обмоток LI - L6 силового трансформатора. Этот транзистор используется в качестве ключа, подающего питание на рабочую обмотку LU5 трехфазного реактора насыщения, служащего фазосдвигающим элементом. В результате начинается заряд конденсатора С1 и открывается маломощный тиристор V4, подающий импульс напряжения с конденсатора С2 на управляющий электрод силового тиристора. В устройстве применена система автоматического регулирования, которая при изменении напряжения на АБ в процессе заряда и при колебаниях напряжения питающей сети поддерживает стабильным ток заряда за счет изменения угла управления тиристоров выпрямительного моста. [55]

Излагаются теория и свойства быстродействующих тиристоров. Рассматриваются физические процессы в структуре. Рассчитываются вольтамперные характеристики, проводится анализ переходных процессов. Большое внимание уделяется вопросам создания быстродействующих структур. Обсуждаются экспериментальные результаты исследования статических и динамических свойств тиристоров. Анализируются некоторые явления, приводящие к нестабильной работе тиристоров в схемах. Рассматриваются схемы на основе быстродействующих маломощных тиристоров, в том числе некоторые интегральные схемы. [56]

Первые же исследования структур с кольцевым управляющим электродом показали, что их dljdt - стой кость существенно зависит от величины тока управления. Дело в том, что на сравнительно большой длине границы эмиттера технологически невозможно добиться одинаковых условий для протекания базового тока и одинаковых условий включения. Включение в этих условиях происходит при малых токах управления в одной небольшой области ( либо точке), иногда, но реже в двух-трех местах. По мере увеличения тока управления у все большей части границы эмиттера с управляющим электродом возникает включенное состояние. Это явление и приводит к резкому увеличению So от тока управления. Эти зависимости дают представление об уровне технологии изготовления тиристора и достигнутой степени идентичности всех участков границы эмиттер - базовый электрод. Поскольку у современных импульсных и высокочастотных тиристоров в силу изложенного выше существует зависимость Su ( Iy), для них целесообразно существенно увеличивать токи управления ( что и делается на практике), а также применять предварительное усиление тока управления [13] либо использовать для этого специальный вспомогательный маломощный тиристор, выполненный на той же полупроводниковой пластинке. [57]

Страницы: 1 2 3 4