Неуправляемый тиристор

Cтраница 2

Поэтому для того чтобы накопить в базах критический заряд QKpHT, не требуется такого собственного тока коллекторного перехода, как в неуправляемых тиристорах. [16]

Диаграмма составляющих токов ( а и вольт-амперная. [17]

Так как при стационарном режиме работы, когда через тиристор проходит прямой ток, процессы в них остаются такими же, как и в неуправляемых тиристорах, то здесь рассмотрим только переходные процессы, связанные с включением и выключением тиристоров. [18]

Второй элемент - буква, указывающая класс полупроводникового прибора: Д - диоды; Т - транзисторы; Ф - фотоприборы; С - стабилитроны; В - варикапы; И - туннельные диоды; Н - неуправляемые тиристоры; У - управляемые тиристоры; А - сверхвысокочастотные диоды; Ц - выпрямительные столбы и блоки. [19]

Ток нагрузки кремниевого вентиля в функции скорости воздуха при температуре слоистой структуры 110 С.| Слоистые структуры. [20]

В дополнение к рассмотренным полупроводниковым вентилям следует отметить ( по данным иностранных фирм) появление: а) диодов с четырехслойной ( р-п-р-п) структурой вентильного элемента ( рис. 7 - 28, а), используемых в схемах низковольтных преобразователей главным образом для защиты цепочек вентилей от перенапряжения, и б) диодов с пятислойной структурой ( рис. 7 - 28, б) - симметричных неуправляемых тиристоров. Последние также используются в качестве шунтирующих элементов цепочек вентилей для защиты их от перенапряжений. В отличие от первых они включаются как в том, так и в другом направлении менее чем за 1 мксек, как только напряжение на его зажимах превзойдет определенную пробивную величину или же скорость нарастания напряжения на его зажимах превысит заданное значение. [21]

Неуправляемый тиристор ТНг открывается и пропускает ток включения тиристора ГД только тогда, когда напряжение в цепи питания превышает минимально допустимое. Другой неуправляемый тиристор 7 Я2 открывается и выключает тиристор ТД, когда на нагрузочном сопротивлении появляется напряжение, превышающее ( из-за перегрузки током) допустимое. [22]

Симметричный тиристор, а - структура, обозначения. б - статическая характеристика. [23]

Тиристор, или полупроводниковый тиратрон, представляет собой кремниевую пластину с четырехслойной структурой р-п-р-п. Через слой алюминия полупроводниковая пластина соединена с молибденовой ( рис. 2 - 25), являющейся анодом. Последняя п-область, полученная на стыке со слоем сплава Au-Sb, соединена со второй молибденовой пластиной, являющейся катодом. Управляющий электрод соединен с - областью, расположенной вблизи катода. Для любого направления тока тиристор обладает большим сопротивлением, потому что по крайней мере один диод включен обратно. Поэтому характеристика неуправляемого тиристора ( рис. 2 - 25 в) состоит из двух обратных ветвей для обоих направлений тока с пробоем при больших напряжениях. Ток, протекающий через управляющий электрод t ynp, увеличивает количество носителей в запорном слое, благодаря этому он начинает проводить, причем сопротивление его невелико, если напряжение между анодом и катодом положительно. [24]

Страницы: 1 2