Измерение - электрофизический параметр
Cтраница 1
Измерение электрофизических параметров слоев проводилось методом Ван-дер - Пау. [1]
Измерение электрофизических параметров полученных электролизом и отожженых пленок сурьмянистого индия показало, что полученные пленки характеризуются проводимостью п-типа. [2]
Измерение электрофизических параметров плазмы было выполнено зондовым и оптическим методами. [4]
Измерения электрофизических параметров образцов, выращенных при различных температурах, показали, что распределение примеси по толщине слоя неоднородно: во всех случаях концентрация примеси понижается при удалении от границы с подложкой и затем стабилизируется. Степень неоднородности зависит от температуры. [5]
При измерениях электрофизических параметров материала, проводимых при помощи АИК, как правило, измеряют массивы из Nj мгновенных значений, равномерно распределенных на периоде напряжения, которое пропорционально скорости изменения магнитной индукции или напряженности поля, пронизывающего витки измерительной обмотки преобразователя. По ним находят амплитудные, средневыпрямленные ( СВЗ), а иногда и среднеквадратические ( СКЗ) значения сигналов. Поэтому встроенный калибратор должен формировать переменные напряжения с аттестованными амплитудными, среднеквадратическими и средневыпрямлен-ными значениями - Предел допускаемой погрешности по каждому из этих параметров калибратора должен находиться согласно МИ 1202 - - 86 в диапазоне 0.1 - 0 5 от предела требуемой допускаемой погрешности измерения параметра. [6]
При измерениях электрофизических параметров материала, проводимых при помощи АИК, как правило, измеряют массивы го jVd мгновенных значений, равномерно распределенных на периоде напряжения, которое пропорционально скорости изменения магнитной индукции или напряженности поля, пронизывающего витки измерительной обмотки преобразователя. По ним находят амплитудные, средневыпрямленные ( СВЗ), а иногда и среднеквадратические ( СКЗ) значения сигналов. Поэтому встроенный калибратор должен формировать переменные напряжения с аттестованными амплитудными, среднеквадратическими и средневыпрямлен-ными значениями. Предел допускаемой погрешности по каждому из этих параметров калибратора должен находиться согласно МИ 1202 - 86 в диапазоне 0.1 - 0 5 от предела требуемой допускаемой погрешности измерения параметра. [7]
В целом совпадение результатов измерения электрофизических параметров с результатами, полученными в [3, 4], говорит о высокой эффективности процесса зонного выравнивания для системы 1п2Те3 - Си. Следует заметить, что в зависимости от сорта примеси, вероятно, возможны случаи, когда при синтезе примесь будет взаимодействовать с одним из компонентов шихты с образованием в матрице устойчивых включений соответствующего химического соединения, которые не успевают рассасываться при зонном выравнивании. Однако зонное выравнивание может оказаться эффективным для обеспечения равномерного распределения в матрице включений второй фазы [2], которые затем рассасываются диффузионным путем. [8]
Изложенная методика оценки чувствительности и погрешностей измерения электрофизических параметров жидкостей и полученный экспериментальный материал могут быть использованы при разработке и расчете бесконтактных емкостных преобразователей, а также при решении ряда смежных задач. [9]
Структуроскопы позволяют определять физико-механические свойства материалов путем измерения электрофизических параметров материала Принцип действия электромагнитных структуроскопов основан на использовании корреляционной зависимости между магнитными, электрическими и другими свойствами материала и его физико-механическими свойствами. [10]
Структуроскопы позволяют определять физико-механические свойства материалов путем измерения электрофизических параметров материала. Принцип действия электромагнитных струкгуроскопов основан на использовании корреляционной зависимости между магнитными, электрическими и другими свойствами материала и его физико-механическими свойствами. [11]
Таким образом, глубина распространения ямок травления от поверхности образца является функцией величины напряжений, количества циклов и скорости нагружения, а также зависит от места положения исследуемого участка. При этом полученные нами данные по послойному металлографическому анализу хорошо подтверждаются результатами измерений электрофизических параметров при послойном. [12]
В деле создания новых сверхпроводящих материалов и новых сверхпроводящих магнитов на их основе важное значение имеют точные измерения физических свойств сверхпроводников. Необходимо также знать характеристики сверхпроводящих магнитов, чтобы проверить, удалось ли реализовать проектные параметры, и определить пути дальнейшего совершенствования технологии изготовления магнитов. В данной главе рассматриваются в основном методы измерения сверхпроводящих и электрофизических параметров сверхпроводников. При создании магнитных систем необходимы сведения и о таких характеристиках, как предел прочности на растяжение или температурный коэффициент линейного расширения. [13]
Страницы: 1