Тойерер

Cтраница 1

Тойерер [13] сообщает, что в процессе участвует также около 20 % SiHCl3, из которого осаждается до 10 % кремния, а также небольшие количества ( 1 %) высокомолекулярных полимеров, например Si10C ] 20H2, обнаруженных в конденсате на стенках реакционной камеры. [1]

Профили распределения. [2]

Тойерер [13] обнаружил, что даже при использовании очищенного тетрахлорида максимальное электросопротивление эпи-таксиальных пленок ( га-типа) едва достигало 100 ом - см, хотя при данной чистоте исходного продукта принципиально возможно получение более высоко-омных осадков. [3]

Кривые изменения скорости роста пленок германия в зависимости от концентрации GeCl4 в водороде при различных tn и на разных гранях монокристаллов германия. [4]

В 1960 г. Тойерер и др. [50] описали эпитаксиальный германиевый транзистор, изготовленный путем кристаллизации германия при восстановлении GeCl4 водородом. [5]

Для удаления бора из кремния Тойерер [35] предложил использовать взаимодействие между парами воды и расплавом: при взаимодействии с водой бор образует летучие соединения и уносится газом-носителем, в то время как другие нелетучие примеси удаляются движущейся зоной. [6]

Изменение молярного отно - [ IMAGE ] Изменение копцеитра-шения примесь. SiCl4 при испарении ции [ примеси и сопротивления легированного тетрахлорпда крем - в пленках кремния пп в за-шш. висимости от температуры ( моляр. [7]

Из рис. 2.17 и из аналогичных данных Тойерера [13] следует, что отношение концентрации РС13 и ВВг3 в паровой фазе существенно изменяется в процессе испарения, нежелательно изменяя концентрацию примесей в процессе роста пленки. [8]

Зависимость скорости роста эпитаксиальных пленок кремния от температуры осаждения. [9]

На рис. 2.4 представлены данные о температурной зависимости скорости роста по данным разных авторов. Тойерер [13] считает, что зависимость скорости осаждения от величины, обратной температуре, линейна во всем изученном интервале 900 - 1300 С. Вычисленная по этим данным энергия активации процесса равна 37 ккал / молъ. При оптимальном режиме ( Csjcu 0 02, vu 1 л / мин, ta 1270 С) осаждение идет со скоростью 1 6мк / мин. [10]

Воспроизводимость результатов при наращивании эпитакси-альных слоев зависит от постоянства концентрации основного реагента ( SiCl4, SiHCl3, SiBr4, SiI4, SiH4) в газовом потоке. В связи с этим способ насыщения потока веществом реагента оказывается весьма существенным. Тойерер [88] описал получивший затем широкое распространение метод точной регулировки количества SiCl4 в реакторе испарением при установившемся режиме. Резервуар с жидким SiCl4, с поверхности которого идет испарение, термостатируют. Для сохранения постоянства условий необходимо строго регулировать температуру, скорость потока газа-носителя ( водорода) и градиент потока у поверхности. [11]

Зависимость температуры зпитЕксиалького наращивания от скорости осаждения. [12]

Электронограммы, полученные с этих пленок, давали линии Ки-кучи, соответствующие высокосовершенным кристаллам. Минимальная температура подложки Та, при которой возможно получение качественных монокристаллических пленок, находится в интервале от 1100 до 1250 С; ее точное значение зависит от скорости осаждения. Пунктирная линия является температурной зависимостью скорости осаждения, полученной Тойерером [137], использовавшим метод восстановления SiClj водородом. При Тп ниже 1100 С получаются поликристаллические пленки серого цвета. Отмечается, что при давлении, используемом для испарения, для предохранения поверхности от образования окисла температура подложки поддерживается выше 1100 С. При Т выше 1100 С двуокись кремния, образованная на поверхности, восстанавливается до моноокиси кремния, которая является летучей при температурах выше 1100 С. Это подтверждено в работе Хэйла [136], получившего пленки коричневого цвета, осажденные при пониженных температурах. [13]

Поскольку хемосорбциогшый процесс довольно часто описывается уравнением Фрейндлиха, то случаи невыполнения закона Генри могут указывать не только на неоднородность поверхности или изменение физико-химической формы микропримеси, по и на наличие хемосор б ци оттого механизма адсорбции. Горбачева [48] по теплоте адсорбции примеси РОС15 окисью алюминия и активным углем БАУ с очевидностью констатируют хемосорбционный механизм поглощения. Не обсуждая механизма химического взаимодействия, относительно которого не высказано какого-либо предположения, можно указать лишь на весьма вероятное протекание реакции между хлоридами и окисью алюминия с образованием хлорида алюминия. Последний, как показано в работе Тойерера [39], образует хороню сорбируемый комплекс РС15 Л1С13, благодаря чему очистка от фосфора на алюминии происходит на несколько порядков. [14]

Морфологические особенности пленок в значительной степени определяются температурой подложки. Байлендер [89] при разложении четыреххлористого кремния наблюдал рост нитевидных кристаллов при температуре около 900 С, образование фигур, подобных фигурам травления, в области 950 - 1100 С и развитие волнистой поверхности при температурах выше 1150 С. По данным Тойерера [13], пленки кремния совершенны и имеют при 1270 С гладкую поверхность. При 1175 С на поверхности образуются террасы, но пленки еще остаются монокристальными. Восстановление при 895 С приводит к образованию серого поликристаллического осадка. [15]

Страницы: 1