Ток - затвор
Cтраница 2
В МДП-транзисто-рах изменения температуры на ток затвора практически не влияют. [16]
Но что еще хуже, динамические токи затвора ( / 3 CdUc / dt) могут проходить на выход логического устройства и вывести его из строя благодаря непредсказуемым образом возникающему эффекту, известному как защелкивание кремниевой полупроводниковой структуры ( более подробно о нем в гл. При этом оказывается, что мощные биполярные транзисторы имеют сравнимые с ПТ величины емкостей и, следовательно, сравнимые динамические входные токи; однако когда вы проектируете схему возбуждения мощного биполярного 10-ам - Перного транзистора, вы заранее знаете, Что в цепи возбуждения базы нужно обеспечить ток 500 мА или около того ( через пару Дарлингтона или еще каким-либо образом), в то время как у ПТ вы скорее всего будете ожидать гарантированно низкий входной ток. И вновь в этом Примере несколько потускнел блеск ПТ как прибора со сверхвысоким полным сопротивлением. [17]
При повышенной влажности для обеспечения тока затвора не более 10 - 9 А рекомендуется использовать транзисторы в составе герметизированной аппаратуры или при местной защите прибора от воздействия влаги. [18]
При повышенной влажности для обеспечения тока затвора не более 10 - А рекомендуется использовать транзисторы в составе герметизированной аппаратуры или при местной защите прибора от воздействия влаги. [19]
При повышенной влажности для обеспечения тока затвора не более 10 - 9 А рекомендуется использовать транзисторы в составе герметизированной аппаратуры или при местной защите прибора от воздействия влаги. [20]
Ток базы биполярных триодов значительно больше тока затвора полевых триодов, управление которыми осуществляют, меняя напряжение между затвором и истоком. [21]
 |
Условное схематичное изображение транзистора БТИЗ ( а и его область безопасной. [22] |
В результате смешанного управления открытый транзистор управляется током затвора, который в этом случае работает как база биполярного транзистора, а при запирании транзистора на затвор подается обратное запирающее напряжение. В отличие от биполярного транзистора обратное напряжение, подаваемое на затвор транзистора, может достигать 30 В, что значительно ускоряет процесс рассасывания неосновных носителей, которые появляются в канале при прямом смещении затвора. [23]
БТ; / з, q - постоянные ток затвора и крутизна передаточной характеристики ПТ; К 1 38 - 10 - 23 Дж / К - постоянная Больцмана; Г - температура по Кельвину, е1 6 - 10 - 9 Кл - заряд электрона; R30 KT / eIK; p0fl ( / K / d / 6 - коэффициент усиления по току в рабочей точке БТ. [24]
В ключе с общим истоком вклад эффекта Миллера в ток затвора имеет место все время, пока не завершится переходный процесс в цепи стока, а емкость затвор исток создает ток только при изменении напряжения затвора. Если бы емкость обратной связи не зависела от напряжения, то эта горизонтальная часть графика была бы пропорциональна напряжению стока, после чего кривая продолжалась бы с прежним наклоном. На самом деле емкость обратной связи Crss при малом напряжении быстро возрастает ( рис. 3.70), а это означает, что эффект Миллера больше всего проявляет себя на той части сигнала, когда напряжение на стоке мало. Этим объясняется изменение наклона кривой заряда затвора, а также тот факт, что длина горизонтальной полки почти не зависит от напряжения стока. [26]
 |
Схемы цепей питания с фиксацией напряжения на затворе для транзистора с управляемым p - n - переходом и базой n - типа ( а, для транзистора с изолированным затвором ( обедненный тип ( б. [27] |
Для того чтобы исключить влияние сильно ( выраженной зависимости тока затвора от температуры и подверженности его значительному разбросу, результирующее сопротивление в цепи затвора должно быть достаточно малым, не более чем 0 01 - 0 03 от наименьшего значения сопротивления постоянному току промежутка затвор-исток. [28]
Таким образом, входная статическая характеристика будет иметь участок насыщения тока затвора, если полевой транзистор сделан из материала с малой шириной запрещенной зоны. В этом случае на обратные токи через p - n - переход ( затвор) практически не будут влиять процессы генерации носителей в области объемного заряда. [29]
 |
Возникновение нелинейных искажений. а - во входной цепи транзистора. б - в выходной цепи. [30] |
Страницы: 1 2 3 4