Ток - источник - смещение
Cтраница 2
 |
Принципиальная электрическая схема усилителя мощности V598. [16] |
Падение напряжения на резисторе R6 делите ля напряжения определяет величину отрицательного потенциала эмиттера, которая составляет примерно - 11 65 В. Отрицательное значение потенциала базы ( ж - 12 В) по отношению к эмиттеру ( я - 11 65 В) обеспечивает закрытое состояние транзистора Т2, при этом ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, R8, D1, О В. Падение напряжения на сопротивлении открытого диода создает небольшой положительный потенциал базы по отношению к эмиттеру и обеспечивает закрытое состояние транзистора ТЗ. [17]
 |
Принципиальная электрическая схема усилителя мощности V598. [18] |
Рассмотрим работу усилителя электромагнитов печати при воздействии на вход Е схемы сигналов Оги L. Допустим, что на вход Е схемы усилителя поступает сигнал О. Ток источника смещения про - текает по цепи: 12 В, R2, R1, О В - источника сигналов. В закрытом состоянии транзистора напряжение коллектора незначительно отличается от напряжения источника питания. С коллектора закрытого транзистора Т1 напряжение, близкое по величине к - 12В, поступает на вход второго каскада усилителя. [19]
Ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, R1, внутреннее сопротивление источника сигналов, О В. Делитель напряжения из резистора R1 и небольшого внутреннего сопротивления источника сигналов создает на базе транзистора Т1 потенциал, близкий к О В. Одновременно ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, R4, R3, R2, О В. [20]
Транзистор Т2 открывается и создает электрические цепи: коллектора: О В, Т2, R2, - 12 В; базы О В, Т2, R5, R1 - 12 В; источника смещения: 12 В, R6, Т2, О В. Ток источника смещения несколько уменьшает величину тока базы. Одновременно ток источника смещения протекает в цепи делителя напряжения второго каскада усилителя: 12 В, R6, R5, Т1, О В. [21]
Усилитель-расширитель обычно работает без запирающего смещения. В этом случае при запирании транзистора ослабляется действие входного сигнала и тем самым снижается уровень накопления. Кроме того, ток источника смещения после воздействия импульса способствует быстрому рассасыванию избыточных носителей, что также нежелательно, так как сокращается длительность выходного импульса. [22]
После опрокидывания триггера знака числа в рабочее состояние на вход Е усилителя поступает сигнал L. Падение напряжения на резисторе R2, обусловленное током цепи делителя напряжения из резисторов R1 и R2, создает отрицательный потенциал базы по отношению к эмиттеру. Аналогично описанию работы инвертора ток источника смещения, протекающий по цепи: 12 В, R2, база-эмиттер открытого транзистора, О В - будет значительно меньше встречного тока базы, протекающего по цепи: О В, эмиттер-база открытого транзистора Т1, - 12В и внутреннее сопротивление источника сигналов. [23]
Ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, резисторы R3, R2, О В источника сигналов. Величина тока ограничена сопротивлением резисторов делителя напряжения. Падение напряжения на резисторе R2 от тока источника смещения создает на базе транзистора Т1 по отношению к эмиттеру положительный потенциал. [24]
База получает положительный потенциал по отношению к эмиттеру. Транзистор Т1 закрывается, на выходе А инвертора восстанавливается сигнал L. Конденсатор С1 перезаряжается до величины падения напряжения на резисторе R2 от тока источника смещения. Схемы инверторов N633 - N636 не имеют резистора в цепи коллектора. Функции резистора R1 в соответствующих схемах обычно выполняет сопротивление нагрузки или специальный резистор функциональной схемы. [25]
Напряжение между эмиттером и базой уменьшается. База становится более положительной, но сохраняет отрицательный потенциал по отношению к эмиттеру. Транзистор Т1 остается в открытом состоянии. Ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, резистор R3, сопротивление база-эмиттер открытого транзистора, О В. Сопротивление резистора R3 значительно превышает величину сопротивления перехода база-эмиттер открытого транзистора. Следовательно, величина тока источника смещения будет значительно меньше величины тока базы. Встречное направление токов базы и источника смещения создает результирующий ток на участке цепи: О В, эмиттер-база открытого транзистора. Результирующий ток создает падение напряжения на сопротивлении эмиттер-база открытого-транзистора и обеспечивает отрицательный потенциал базы по отношению к эмиттеру, который и удерживает транзистор Т1 в открытом состоянии. В результате открытого состояния транзистора Т1 на выход А инвертора поступает сигнал 0 до тех пор, пока па вход Е схемы поступает сигнал L. [26]
После переключения ждущего мультивибратора ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, R7, R4, R3, открытый транзистор Т2, О В. Делитель напряжения из резисторов R7 и R4, R3 создает на базе закрытого транзистора Т1 небольшой положительный потенциал по отношению к эмиттеру, который удерживает транзистор в закрытом состоянии. Конденсатор С2 начинает заряжаться по цепи: О В, эмиттер-база открытого транзистора Т2, R5, С2, R2, - 12 В. Ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, Rll, RIO, R5, база-эмиттер открытого транзистора Т2, О В. В первоначальный момент величина тока заряда конденсатора С2 значительно превышает величину тока источника смещения. [27]
В схеме на рис. 10.12, а в качестве насыщающегося усилителя-расширителя используется инвертор логического элемента. При этом, чтобы увеличить время рассасывания грас, неиспользуемые входы логического элемента оставляют разомкнутыми. Следует также избегать подключения источника запирающего смещения ко входу инвертора, так как при запирании инвертора ослабляется действие входного сигнала и тем самым уменьшается уровень насыщения. Кроме того, ток запирающего источника смещения после воздействия входного импульса способствует быстрому рассасыванию избыточных носителей, что также приводит к сокращению длительности выходного импульса. [28]
Электроны второй обкладки емкости через резистор R5, базу-эмиттер открытого транзистора Т2, резисторы R11 nRlO поступают на положительные полюсы источников питания 12 В, - 12 В. В результате концентрации электронов на базе открытого транзистора создается определенный отрицательный потенциал, который удерживает транзистор Т2 в открытом состоянии. На коллекторе транзистора Т2 формируется отрицательный перепад напряжения, который через ускоряющую емкость С1 поступает на базу транзистора Т1 и обеспечивает опрокидывание ждущего мультивибратора в исходное состояние. Регулировочный резистор R11 дает возможность изменять величину тока источника смещения и длительность рабочего состояния ждущего мультивибратора. [29]
После переключения ждущего мультивибратора ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, R7, R4, R3, открытый транзистор Т2, О В. Делитель напряжения из резисторов R7 и R4, R3 создает на базе закрытого транзистора Т1 небольшой положительный потенциал по отношению к эмиттеру, который удерживает транзистор в закрытом состоянии. Конденсатор С2 начинает заряжаться по цепи: О В, эмиттер-база открытого транзистора Т2, R5, С2, R2, - 12 В. Ток источника смещения протекает по цепи: 12 В, Rll, RIO, R5, база-эмиттер открытого транзистора Т2, О В. В первоначальный момент величина тока заряда конденсатора С2 значительно превышает величину тока источника смещения. [30]
Страницы: 1 2 3