Ток - коллектор - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Неудача - это разновидность удачи, которая не знает промаха. Законы Мерфи (еще...)

Ток - коллектор - транзистор

Cтраница 3


31 Принципиальная схема сетевого источника питания для кассетных магнитофонов ТЕСЛА ANP 410 ( 6 A3 и ANP 419 A3 VKV.| Печатная плата источника питания согласно 4. [31]

Резистор R1 уменьшает ток коллектора транзистора при перегрузках и ограничивает пики тока при заряде конденсатора фильтра, находящегося в магнитофоне. Резистор R3 является предварительной нагрузкой источника питания.  [32]

В этот момент ток коллектора транзистора VT1 1 уменьшается, вызывая увеличе-ние напряжения на коллекторе. Триггер Шмитта, выполненный нэ транзисторах 1 / 72, VT3, формирует сигнал с крутыми фронтом и спадом. Транзистор VT4 работает, в режиме переключения.  [33]

При этом увеличивается ток коллектора транзистора VТ1 и уменьшается ток коллектора транзистора VT2, что равносильно появлению в этих токах переменных составляющих, которые совпадают по направлению и суммируются в нагрузке. В полупериод 2 увеличиваются базовый и коллекторный токи транзистора VT2, а эти токи транзистора VT1 уменьшаются. Таким образом, по постоянному току относительно источника питания транзисторы включены последовательно, а по переменному относительно нагрузки - параллельно.  [34]

35 Схема транзисторного дополнительного стабилизирующего элемента. [35]

В этой схеме ток коллектора транзистора Г4 не зависит от изменений напряжения С / бЭ транзистора Т2, обусловленных колебаниями температуры или нагрузки. Гь изменения которых вызываются колебаниями температуры или нагрузки стабилизатора, либо и тем, и другим.  [36]

После запирания Д2 ток коллектора транзистора нарастает линейно или при наличии конденсатора С, уменьшающего потери на выключение, - по синусоидальному закону.  [37]

При повышении температуры ток коллектора транзистора Ts возрастает, а напряжение на базе транзистора Г уменьшается, а так как напряжение смешения на базу транзистора Т -, снимается с резисторов К. Rzs, через которые протекает эмиттерный ток транзистора Тв, то напряжение на базе транзистора Гб уменьшается. Такая схема обеспечивает температурную стабильность обоих каскадов в интервале температур от - 10 до 40 С.  [38]

В режиме переключения ток коллектора отпертого транзистора не должен быть больше величины 0 8 / к.  [39]

При повышении температуры ток коллектора транзистора Тъ возрастает, а напряжение на базе транзистора Те уменьшается, а так как напряжение смещения на базу транзистора Г5 снимается с резисторов Rw, Rza, через которые протекает эмиттерный ток транзистора Те, то напряжение на базе транзистора Гб уменьшается. Такая схема обеспечивает температурную стабильность обоих каскадов в интервале температур от - 10 до 40 С.  [40]

Оценим пределы изменений тока коллектора транзистора.  [41]

Увеличение пределов разброса тока коллектора транзистора с ростом температуры окружающей среды от 20 до 70 С сравнительно невелико. Это объясняется преобладанием погрешности, обусловленной неточностью установления выбранного рабочего режима на постоянном токе и производственным разбросом коэффициента передачи тока эмиттера транзистора.  [42]

Проверяем максимальную величину тока коллектора транзистора преобразователя напряжения в момент переключения.  [43]

Проверяем максимальную величину тока коллектора транзистора выходного каскада в момент переключения.  [44]

Отклонение бКОм пропорционально току коллектора транзистора, который равен сумме тока холостого хода выходного трансформатора и приведенного тока нагрузки. Практически уход бв проявляется более резко, чем увеличение нагрузки.  [45]



Страницы:      1    2    3    4    5