Cтраница 3
![]() |
Принципиальная схема сетевого источника питания для кассетных магнитофонов ТЕСЛА ANP 410 ( 6 A3 и ANP 419 A3 VKV.| Печатная плата источника питания согласно 4. [31] |
Резистор R1 уменьшает ток коллектора транзистора при перегрузках и ограничивает пики тока при заряде конденсатора фильтра, находящегося в магнитофоне. Резистор R3 является предварительной нагрузкой источника питания. [32]
В этот момент ток коллектора транзистора VT1 1 уменьшается, вызывая увеличе-ние напряжения на коллекторе. Триггер Шмитта, выполненный нэ транзисторах 1 / 72, VT3, формирует сигнал с крутыми фронтом и спадом. Транзистор VT4 работает, в режиме переключения. [33]
При этом увеличивается ток коллектора транзистора VТ1 и уменьшается ток коллектора транзистора VT2, что равносильно появлению в этих токах переменных составляющих, которые совпадают по направлению и суммируются в нагрузке. В полупериод 2 увеличиваются базовый и коллекторный токи транзистора VT2, а эти токи транзистора VT1 уменьшаются. Таким образом, по постоянному току относительно источника питания транзисторы включены последовательно, а по переменному относительно нагрузки - параллельно. [34]
![]() |
Схема транзисторного дополнительного стабилизирующего элемента. [35] |
В этой схеме ток коллектора транзистора Г4 не зависит от изменений напряжения С / бЭ транзистора Т2, обусловленных колебаниями температуры или нагрузки. Гь изменения которых вызываются колебаниями температуры или нагрузки стабилизатора, либо и тем, и другим. [36]
После запирания Д2 ток коллектора транзистора нарастает линейно или при наличии конденсатора С, уменьшающего потери на выключение, - по синусоидальному закону. [37]
При повышении температуры ток коллектора транзистора Ts возрастает, а напряжение на базе транзистора Г уменьшается, а так как напряжение смешения на базу транзистора Т -, снимается с резисторов К. Rzs, через которые протекает эмиттерный ток транзистора Тв, то напряжение на базе транзистора Гб уменьшается. Такая схема обеспечивает температурную стабильность обоих каскадов в интервале температур от - 10 до 40 С. [38]
В режиме переключения ток коллектора отпертого транзистора не должен быть больше величины 0 8 / к. [39]
При повышении температуры ток коллектора транзистора Тъ возрастает, а напряжение на базе транзистора Те уменьшается, а так как напряжение смещения на базу транзистора Г5 снимается с резисторов Rw, Rza, через которые протекает эмиттерный ток транзистора Те, то напряжение на базе транзистора Гб уменьшается. Такая схема обеспечивает температурную стабильность обоих каскадов в интервале температур от - 10 до 40 С. [40]
Оценим пределы изменений тока коллектора транзистора. [41]
Увеличение пределов разброса тока коллектора транзистора с ростом температуры окружающей среды от 20 до 70 С сравнительно невелико. Это объясняется преобладанием погрешности, обусловленной неточностью установления выбранного рабочего режима на постоянном токе и производственным разбросом коэффициента передачи тока эмиттера транзистора. [42]
Проверяем максимальную величину тока коллектора транзистора преобразователя напряжения в момент переключения. [43]
Проверяем максимальную величину тока коллектора транзистора выходного каскада в момент переключения. [44]
Отклонение бКОм пропорционально току коллектора транзистора, который равен сумме тока холостого хода выходного трансформатора и приведенного тока нагрузки. Практически уход бв проявляется более резко, чем увеличение нагрузки. [45]