Ток - база - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Существует три способа сделать что-нибудь: сделать самому, нанять кого-нибудь, или запретить своим детям делать это. Законы Мерфи (еще...)

Ток - база - транзистор

Cтраница 2


Так как ток базы транзистора и его входное сопротивление постоянному току относительно малы, то падение напряжения между базой и эмиттером составляет, как правило, всего 0 1 - 0 2 в. Поэтому падение напряжения на сопротивлении RI за счет протекающего через него эмиттерно-го тока равно практически напряжению батареи смещения.  [16]

Начинает протекать ток базы транзистора VT6, и транзистор открывается.  [17]

При этом ток базы транзистора VT1 увеличивается на / вх, а ток базы транзистора VT2 уменьшается на такое же значение. Вследствие увеличения падения напряжения на коллекторном резисторе R3 напряжение на коллекторе транзистора VT1 падает, а на коллекторе транзистора VT2 из-за уменьшения падения напряжения на коллекторном резисторе R4 увеличивается. При этом на нагрузке RH, подключенной к коллекторам транзисторов ( симметричный выход), появляется напряжение, равное разности коллекторных напряжений. При изменении полярности входного напряжения изменяется полярность выходного. Таким образом, выходное напряжение содержит информацию о значении входного сигнала и его полярности.  [18]

Коэффициент передачи тока базы транзистора в инверсном включении меньше, чем в обычном включении: для германиевых сплавных транзисторов упомянутого типа он лежит в пределах 3 - 15, для кремниевых сплавных не более четырех ( для некоторых образцов меньше единицы), а для диффузионных, пленарных всегда меньше единицы. Крутизна переходной характеристики транзисторов при инверсном включении также меньше, чем при прямом включении: для сплавных маломощных германиевых транзисторов величина имеет влияние 25 - 30 и для кремниевых 10 - 15 мА / В.  [19]

Вычисляем величину тока базы транзистора по формуле ( 4), подставляя в нее минимальное значение статического коэффициента передачи тока Л21Э транзистора.  [20]

С заряжается током базы транзистора TZ. Регулирующий транзистор 7 при этом закрыт. Повышение напряжения на конденсаторе Сфг при его заряде приводит к запиранию транзисторов Т2 и Т3 и отпиранию TI. Транзистор Tz остается запертым до тех пор, пока конденсатор Сф не разрядится. При повышении входного напряжения время заряда конденсатора СФ1 уменьшается и частота переключений регулирующего транзистора возрастает, а при уменьшении входного напряжения увеличивается время заряда Ci и частота переключений уменьшается. Назначение остальных элементов схемы очевидно: Сф21ф - сглаживающий фильтр, 2 - служит для повышения коэффициента стабилизации.  [21]

22 Структурная схема СВП-4. [22]

В исходном состоянии ток базы транзистора VT11 отсутствует и последний закрыт.  [23]

24 Принципиальная схема стабилизированного регулируемого источника питания от 4 до 14 В ( 0 5 А с электронным предохра. [24]

Изменением положения движка изменяется ток базы транзистора 77, а следовательно, и выходное напряжение стабилизатора. Если движок потенциометра сдвинут к резистору R5, ток базы транзистора Т1 уменьшается, напряжение на его коллекторе повышается и через цепь базы транзистора Т2, а значит, и через ТЗ пойдет больший ток.  [25]

26 Влияние положения рабочей точки на форму выходного сигнала. [26]

Через резистор R2 протекает ток базы транзистора. Так как коэффициент усиления имеет значительный разброс, сопротивление резистора Rz необходимо тщательно подбирать.  [27]

При пробое стабилитрона появляется ток базы транзистора VT1, и он открывается. Открытый транзистор шунтирует резистор R4, и ток в нем прекращается. В результате потенциалы базы и эмиттера транзистора VT2 становятся одинаковыми, и он закрывается, прерывая ток возбуждения.  [28]

При этом коэффициенты передачи тока базы транзисторов уменьшаются по модулю. Об уменьшении коэффициента передачи тока базы судят по предельной частоте усиления / в, на которой его модуль р уменьшается в 1 / 2 раз относительно значения р0 в области нижних и средних частот.  [29]

Положение рабочей точки определяется током базы транзистора, который зависит от разности потенциалов между базой и эмиттером. Наибольшее распространение имеет схема с общим эмиттером.  [30]



Страницы:      1    2    3    4    5