Ток - насыщение - диод
Cтраница 1
Ток насыщения диода равен току эмиссии катода. Однако этот участок характеристики обычно не используется, так как при работе на нем срок службы катода уменьшается. [1]
Посмотрим теперь, каким образом ток насыщения диода зависит от температуры. [2]
 |
Характер изменения электронной температуры в столбе плазмы для любых газов. [3] |
Шумовой ток im зависит от тока насыщения диода /, который легко можно регулировать изменением тока накала диода. На более высоких частотах шумовой ток уменьшается вследствие влияния индуктивностей выводов электродов диода ( особенно катода), междуэлектродной и монтажной емкостей и времени пролета электронов от катода К щюду. Хорошим источником шума в диапазоне частот от единиц герц до десятков мегагерц является фотоэлектронный умножитель. Природа возникновения шумов фотокатода такая же, как и в вакуумном диоде, но так как в фотоэлектронном умножителе фототок усиливается за счет вторичной эмиссии, то его значение в несколько раз больше тока диода. Средняя шумовая мощность легко регулируется изменением светового потока, падающего на фотокатод. [4]
Посмотрим теперь, каким образом ток насыщения диода зависит от температуры. [5]
 |
Переход р-п с внешним напряжением приложенным в обратном направлении. [6] |
Постоянная / в формуле ( 158) является током насыщения диода. [7]
Частоту пилообразного напряжения такого генератора регулируют, изменяя емкость конденсатора С и ток насыщения диода. Регулировка тока насыщения диода достигается изменением накала его катода. Для удобства регулировки тэка диод заменяют пентодом. Ток пентода регулируют изменением напряжения экранирующей или управляющей сетки. Величину пилообразного напряжения регулируют, изменяя сеточное напряжение тиратрона, и, следовательно, напряжение его зажигания. [8]
 |
Потенциальные барьеры на отдельной межкристаллитной границе в случае приложения внешнего смещения V V V-i. [9] |
При средних смещениях высоту барьера определяет возросшее значение Л и ток становится равным току насыщения обратносмещенного диода или сублинейно зависит от напряжения смещения. В ряде случаев барьеры выдерживают напряжения до 100 В. При достаточно высоких напряжениях потенциальный барьер исчезает и наблюдается экспоненциальная зависимость тока от напряжения. [10]
 |
Эффективность различных способов однополярного управления. [11] |
При использовании в схемах модуляторов кремниевых транзисторов, у которых, как правило, величина тока насыщения базы того же порядка или меньше тока насыщения диода, включение диода Д по схеме рис. 1 - 34, а не приводит к заметному снижению приложенного к закрытому транзистору запирающего напряжения. [12]
Чтобы найти значения хт и Vm для подстановки в формулы ( 39 37) и ( 39 38), необходимо знать плотность полного тока термоэлектронной эмиссии катода или, другими словами, плотность тока насыщения диода. [13]
 |
Идеализированная характеристика диода.| Напряжение на. [14] |
Так как в начальный момент напряжение на конденсаторе равно нулю, то на диоде оно равно напряжению ИБ батареи; если напряжение U Б выбрано так, что UB US ( рис. 1.19), то начальный ток заряда конденсатора равен току насыщения Is диода. [15]
Страницы: 1 2 3