Cтраница 1
Ток опроса заставляет домены во внутренней стенке переориентироваться и уменьшить поток вокруг верхнего отверстия, еели внутренняя стенка была ранее намагничена совместным действием токов. [1]
Чтобы обеспечить короткие времена нарастания токов опроса - считывания и малые длительности переходных процессов при возбуждении шин, значения полных сопротивлений шин управления в матрице БИС должны быть достаточно - низкими. При использовании стандартной технологии р-канальных МДП транзисторов при достаточно большом числе ячеек на одно линейное направление матрицы это представляет собой сложную проблему. Так, в матрице TMS-4000 длительности переходных процессов возбуждения управляющих шин составляют примерно 100 с из общего времени цикла АЗУ 250 не. Поэтому при создании АЗУ - на базе МДП БИС представляется целесообразным использование новых технологических методов, в частности, технологии кремниевых затворов и двуслойной металлизации. [2]
![]() |
Дешифратор провода ПЗУ машины ЕС - 1020. [3] |
Вторая ступень дешифрации предназначена для формирования импульса тока опроса в выбранной входной обмотке избранного модуля. [4]
![]() |
Адресный формирователь тока опроса. [5] |
На рис. 6.22 приведена схема адресного формирователя тока опроса. [6]
Маск-регистр, дающий возможность маскировать любой разряд слова, с формирователями токов ассоциативного опроса. Количество разрядов в маск-регистре должно соответствовать количеству разрядов в слове ЗУ. [7]
![]() |
Схема ячейки бнакс. 1 - сердечник. 2, 3 - обмотки ааписи. 4 - обмотка опроса. 5 - обмотка считывания. [8] |
I чисел при атом остаются без тока, никаких ограничений на неличину тока опроса не накладывается. Запись в этой системе происходит по схеме совпадения токов. [9]
Однако применять большие по размеру запоминающие элементы в АЗУ большого объема трудно, так как при ассоциативном опросе возникает значительное напряжение от тока опроса, а это затрудняет конструирование куба памяти и особенно конструирование транзисторных формирователей токов ассоциативного опроса. [10]
Однако применять большие по размеру запоминающие элементы в АЗУ большого объема трудно, так как при ассоциативном опросе возникает значительное напряжение от тока опроса, а это затрудняет конструирование куба памяти и особенно конструирование транзисторных формирователей токов ассоциативного опроса. [11]
Чтобы выбрать режим работы двухдырочного магнитного элемента в запоминающей матрице УЛИ, были сняты его импульсные характеристики в динамическом режиме при разных сочетаниях кодов записи О и 1, а также при различной амплитуде и длительности токов записи и токов опроса. [12]
При считывании по обмотке опроса 4 пропускается ток. Магнитное поле тока опроса в области между верхним и нижним отверстиями сердечника перпендикулярно направлению потока, образовавшегося при записи, и вектор намагниченности в этой области поворачивается на нек-рый угол от первоначального направления. Этот процесс происходит за вре. Знак - эдс, возникающей в обмотке считывания, зависит от хранящейся в сердечнике информации. [13]
Входное сопротивление входной обмотки детектора очень мало, поэтому детекторная обмотка довольно сильно нагружается детектором. Таким образом, формирователь тока ассоциативного опроса шунтируется детекторной обмоткой и затрудняется переключение запоминающего элемента вокруг малого отверстия, вследствие чего резко уменьшается отношение сигнал / помеха на входе детектора. Следовательно, в цепь детекторной обмотки необходимо включить согласующее сопротивление Rc, которое не должно быть очень велико, так как на нем значительно рассеивается выходная энергия запоминающего элемента. Все это говорит о том, что величина сопротивления детекторной обмотки очень критична. [14]
Соответствующие обмотки записи первого и второго сердечников элемента памяти соединены встречно; таким образом, если на первый сердечник записывается 1, то на второй сердечник записывается О, и наоборот. При опросе символом а импульс тока опроса проходит только через первый сердечник элемента памяти, при опросе символом b импульс тока опроса протекает только через второй сердечник элемента памяти. [15]