Измерение - контактный потенциал
Cтраница 1
 |
Схема возникновения разностей потенциалов после соприкосновения острия с поверхностью кристалла ( по Мейеру, Циттлау, Полли г. [1] |
Измерения контактных потенциалов приводят к заключению, что эмиссия возникает вследствие понижения работы выхода электронов. Работа выхода электронов с нарастанием окисного слоя проходит через минимум, который достигается при моноатомном покрытии поверхности. [2]
 |
Прибор для изучения влияния адсорбированных молекул на электрическое сопротивление напыленных в вакууме прозрачных слоев. [3] |
Измерение контактных потенциалов по методу Томсона и метод измерения сопротивления пленок сходны между собой в том отношении, что позволяют определять электронное взаимодействие как при давлении, так и в вакууме. Однако последний метод обладает тем дополнительным преимуществом, что позволяет непосредственно наблюдать влияние газа на катализатор, в то время как при измерении контактных потенциалов приходится пользоваться электродом сравнения. [4]
Измерения контактного потенциала полупроводника как метод обнаружения различных зарядовых состояний адсорбированных на нем частиц. [5]
Часто для измерения контактного потенциала определяют наименьшую частоту света, способную вырвать электрон из тела. [6]
 |
Схема определения контактной разности потенциалов термоэлектронным методом между вольфрамовой проволокой Wи цилиндром А, покрытым внутри исследуемым веществом. [7] |
Для металлов фотоэлектрический метод измерения контактных потенциалов дает вполне удовлетворительные результаты при правильном учете теплового движения и плотности уровней вблизи границы Ферми. [8]
Для металлов фотоэлектрический метод измерения контактных потенциалов дает вполне удовлетворительные результаты при правильном учете теплового движения и плотности уров ней вблизи границы Ферми. [9]
Акимов провел методом вибрирующего конденсатора измерения контактных потенциалов полупроводниковых слоев в вакууме до и после адсорбции на них различных красителей, сенсибилизу-ющих фотопроводимость этих полупроводников. [10]
Обычно работу выхода определяют фотоэлектронными методами или методами измерения контактного потенциала. Для измерения термоэлектронной эмиссии металлов необходима весьма высокая температура. [11]
Следует, однако, помнить, что контакт при измерении контактного потенциала служит только для выравнивания уровней Ферми двух металлов. Аналогично обстоит дело с применением термина реальный потенциал. Реальный потенциал можно отождествить с величиной работы выхода электрона только тогда, когда условия его определения совпадают с экспериментальными условиями измерения работы выхода электрона. Это обычно означает, что для идентификации реального потенциала с работой выхода электрона реальный потенциал следует определять как изменение потенциала, связанное с вхождением электрона в среду, примыкающую к вакууму. [12]
Не может ли присутствие радиоактивных атомов на поверхности образца мешать измерению контактного потенциала. [13]
Для этой цели более подходящими являются иследования в слабых полях и измерения контактного потенциала. Общее количество адсорбированного вещества можно определить отдельно методом флэш-десорбции. Кроме того, контактный потенциал А относится к средней площади, являющейся объектом измерений и в случае низковольтной эмиссии. Трудность при таком подходе заключается в необходимости получения истинно однородной поверхности макроскопических размеров. [14]
Эти значения могут быть найдены из измерений термоэлектронной или фотоэлектронной эмиссии или из измерений контактных потенциалов. [15]
Страницы: 1 2 3