Ток - подготовка
Cтраница 1
Ток подготовки / g0 определяют по току I, заж, значение которого находят по пусковой характеристике с учетом того, что на аноде погасшего тиратрона напряжение Ua Еа - 1аКя - Цепь второй сетки и емкость Cg рассчитывают по формулам ( 20 - 28), ( 20 - 29), ( 20 - 30), как и в предыдущей схеме. [1]
Ток подготовки / 0 тиратрона Т2 выбирают так, чтобы при включении источника питания этот тиратрон надежно зажигался. [2]
Определяем ток подготовки / g0 0 5 Ig заж 2 мка. [3]
 |
Вольт-амперные характеристики промежутка анод - катод ТТР. [4] |
Величина тока подготовки / п в многосеточных ТТР лежит на горизонтальном участке характеристики. [5]
Выбор тока подготовки проводится с учетом границ анодного питающего напряжения, которые определяются по пробивным характеристикам. [6]
Источник тока подготовки испытывает постоянную нагрузку в фазе экзамена, поскольку перемагничиваются только записанные потоки трансфлюксоров, а перемагничивание тороидальных сердечников происходит по пологому участку петли гистерезиса. В фазе обучения при наличии считывания на источник подготовки кроме трансфлюксоров нагружены также тороидальные сердечники. Если считывания в фазе обучения не происходит, то источник подготовки перемагничивает из одного крайнего магнитного состояния в другое только тороидальные сердечники. [7]
Выбираем величину тока подготовки ( в цепи j анода записи) 300 мка. [8]
Особенно сильно повышает быстродействие ток подготовки при низких температурах. Здесь, как следует из выражения ( 11 /), перепад напряжения в отсутствие тока подготовки резко возрастает с уменьшением тока / 0, который с понижением температуры на 10 С падает примерно в два раза. С введением же тока подготовки требуемый перепад напряжения становится почти неизменным. В некоторых скоростных триггерах ток подготовки составляет 1 - 3 ма. [9]
 |
Характеристики зажигания тиратрона МТХ90. [10] |
Возможности работы тиратрона с токами подготовки весьма ограничены. Работать с токами подготовки, меньшими одного микроампера, не рекомендуется по нескольким причинам. Во-первых, на начальном участке характеристика резко падает вниз, стремясь в область отрицательных токов. Во-вторых, воздействие малых токов подготовки соизмеримо с воздействиями различных облучений. В-третьих, защита очень малых токов от наводок в аппаратуре затруднена. Для диапазона анодного напряжения 100 - 140 в границы изменения тока подготовки должны находиться в пределах 1 - 3 мка. Номинальному режиму соответствует анодное напряжение t / a120 в и сеточный ток подготовки / с2 мка. По характеристике зажигания видно, что при минимальном анодном напряжении для надежного поджига в сеточной цепи должен протекать ток не менее 45 мка независимо от способа осуществления зажигания. [11]
В ТТР с большим значением тока подготовки, в частности в лампах ТХ8Г, ТХ6Г, это падение напряжения может составлять 15 - 20 в, что требует соответствующего увеличения напряжения источника смещения. [12]
Амплитуда входного сигнала, определяемая током подготовки тиратрона и величинами С и R2, при длительности ти10 мксек должна быть не менее 10 - 15 в. Такую амплитуду сигнала, например, обеспечивает выход декатрона. [13]
 |
Основные способы включения вхддной емкости. [14] |
На рис. 10 а в сеточном промежутке отсутствует ток подготовки, емкость включена параллельно промежутку сетка - катод, а источник t / c изменяет уровень напряжения. На рис. 10 6 в сеточном промежутке протекает ток подготовки и последовательно с емкостью включен источник импульсных сигналов. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5