Ток - помеха
Cтраница 1
Ток помехи 1 пмх возникает от электрических переменных полей. [1]
 |
Симметрирование обмоток источников радиопомех. а - обмотки не симметрированы. б - обмотки симметрированы. [2] |
Ток помехи, идущий из сети электропитания от источника № 2, частично пройдет через емкость С3, а частично через емкость С4 между антенной ( или снижением) и землей и Таким образом попадет на вход приемника. Существуют и другие пути проникновения радиопомех в приемник, как например через провод заземления приемника и путем воздействия поля помех на высокочастотные контуры приемника при недостаточной их экранировке. [3]
Ток помехи 1 пмх возникает от электрических переменных полей. [4]
 |
Измерение напряжения активного двухполюсн ика.| Механизм возникновения помехи faj.| Механизм возникновения помехи ( а, созданной внешним магнитным полем Ф. защита б методом скрутки проводников. [5] |
Ток помехи, попадая на экран, замыкается по нему на источник помехи, минуя входной контур измерительной цепи. При реализации данного метода важно выбрать точку заземления экрана так, чтобы ток помехи с экрана замыкался на источник Е по цепи с минимальным сопротивлением. [6]
Ток помехи, протекающий в непроводящей ветви, должен быть меньше тока трогания сердечников нагрузки. Это условие полностью совпадает с аналогичными условиями ( 2 - 15) и ( 2 - 15а) для дроссельных схем. [7]
 |
Зависимость напряжения помехи от чистоты обработки поверхности пластин конденсатора. [8] |
Токи помехи, обусловленные ионизацией газа, заполняющего внутренний объем емкостного модулятора, можно свести к пренебрежимой величине, если откачать газ из внутреннего объема модулятора. [9]
Ток помехи общего вида протекает по контуру еп 0 в, Кз, Кпз2, параллельному конденсатору С2, Ко - Поскольку полное сопротивление изоляции внутреннего экрана от корпуса ЦВ намного больше Rs - Ro, то практически вся ЭДС еп 0 в будет приложена к внутреннему экрану. В таком случае разность потенциалов на Rn3i и С от действия е о в практически отсутствует, следовательно, нет тока помехи в цепи с R и действие еп 0 в на результат измерения исключается. [10]
Ток помехи общего вида протекает по контуру еп о в, Rs, Ктз2, параллельному конденсатору С2, RQ. Поскольку полное сопротивление изоляции внутреннего экрана от корпуса ЦВ намного больше Rs - - Ro, то практически вся ЭДС еп 0 в будет приложена к внутреннему экрану. В таком случае разность потенциалов на RK3 и С от действия еп 0 в практически отсутствует, следовательно, нет тока помехи в цепи с Ri и действие еп 0 в на результат измерения исключается. [11]
Возрастание тока помех при температурах пиролиза выше 700 и одновременное появление 1 - - / помех согласуются с явными отклонениями от общей тенденции данных, полученных методом постоянного тока при более низких температурах. Поскольку при достаточно высоких температурах обработки должны происходить другие структурные изменения, возможно, что здесь проявляются ранние стадии графитизации. [12]
Измерения тока помех органического полупроводника - поли-акрилонитрила, пиролизованного в атмосфере азота при температурах от 550 до 900, - обнаруживают флуктуации проводимости, подобные флуктуациям тока в неорганических полупроводниках. Спектр тока помех проявляет константы характеристического времени 102, 3 - 10 - 4 и 5 - Ю 5 сек, которые не зависят от температуры пиролиза и, по-видимому, связаны с молекулярной структурой, обеспечивающей проводимость. Наблюдаемая величина помех предполагает существование большого числа независимых субобъемов, размер которых увеличивается с температурой обработки. Образцы, пиролизованные выше 700, проявляют 1 - / помехи, что может быть указанием на изменение молекулярной структуры. [13]
 |
Схемы применения прибора ИП-60. [14] |
Для фильтрации токов помех на выходе усилителя включен резонансный фильтр низкой частоты с полосой пропускания частот 1500 - 1700 гц. Он состоит из емкостей 4 и 0 1 мкф, катушек индуктивности и отключающего устройства. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5