Cтраница 4
![]() |
Изменение избыточной концентрации во времени [ IMAGE ] - 15. Изменение избыточной концентрации в пространстве. [46] |
Ток проводимости и ток диффузии, генерация пар носителей и рекомбинация, изменение избыточной концентрации носителей во времени и пространстве не исчерпывают всего многообразия сложных явлений, происходящих в полупроводниках, но они наиболее важны, и, зная их, можно правильно понять работу полупроводниковых приборов. [47]
![]() |
Схема измерения тока утечки вентильного разрядника.| Минимальные значения сглаживающей емкости, мкф. [48] |
Ток проводимости ( утечки) может быть измерен при любой полярности. [49]
![]() |
Векторные величины поля электрического тока. [50] |
Ток проводимости понимается как движение облака свободных зарядов в проводящей среде под действием сил электрического поля сквозь ионную решетку, препятствующую движению зарядов; групповая скорость такого облака зарядов в металлических проводниках бывает порядка нескольких сантиметров в секунду; скорость отдельных заряженных частиц, составляющих облако, может быть довольно большой, порядка до 106 м / сек. [51]
Ток проводимости и ток диффузии направлены встречно и взаимно уравновешивают друг друга, в результате чего суммарный ток через переход равен нулю. [52]
![]() |
Образование выпрямляющего р - / 1-перехода - заряд иона донора. - - дырка. - - заряд иона акцептора. Q - электрон. [53] |
Ток проводимости, создаваемый неосновными носителями, сохраняет свою величину, так как для неосновных носителей разность потенциалов р-н-перехода является ускоряющей. Этот ток имеет небольшую величину, поскольку концентрация неосновных носителей низкая, и называется током насыщения / пас. [54]
Ток проводимости в покрытии оксидного катода в преобладающей части обусловливается передвижением электронов, но некоторая часть тока проводимости ( 0 1 - 0 01 %) состоит из ионной проводимости. Она связана с передвижением отрицательных ионов кислорода к поверхности. [55]
![]() |
Электрическая схема замещения ( о и векторная диаграмма ( б. [56] |
Ток проводимости диэлектрика является минимальным током утечки конденсатора. Практически он возрастает из-за наличия проводимости между обкладками, связанной с конструктивным оформлением конденсаторов. Однако и общий ток утечки в конденсаторах ЕН невелик и в ряде случаев при анализе процессов его не учитывают. При синусоидальном напряжении диэлектрик можно представить электрической схемой замещения, показанной на рис. 3.4, а, на которой обозначено: Ry-сопротивление утечки, Ru-сопротивление поляризационных потерь. [57]
![]() |
Схема измерения токов проводимости. [58] |
Токи проводимости вентильных разрядников зависят от напряжения источника питания, поэтому контроль выпрямленного напряжения при измерении токов проводимости необходимо вести на стороне высшего напряжения, например, киловольтметром типа С-196 или С-100 или измерять токи утечки при помощи эталонного элемента, отградуированного для данного типа разрядников. Для этого в схему измерения токов проводимости вместо испытуемого разрядника устанавливают эталонный элемент ( СН-2), постепенно увеличивают при помощи регулировочного устройства испытательное напряжение до значения, при котором ток проводимости равен среднему нормированному значению для данного типа разрядника. [59]
Током проводимости называют упорядоченное движение заряженных частиц внутри проводника под действием электрического поля. [60]