Cтраница 3
Из рассмотренной картины следует, что относительно переключения диод ведет себя как сопротивление R, созданное областью объемного заряда, и зашунтированное емкостью Сд, обусловленной накоплением заряда неосновных носителей при прямом смещении и рассасыванием его при обратном смещении. Эту емкость называют диффузионной емкостью р - n - перехода. При подаче прямого смещения ток в диоде в начальный момент представляет собой в основном ток заряда емкости Сд и по своей величине может быть большим. При переключении диода в обратное направление обратный ток представляет собой в начальный момент в основном ток разряда емкости Сд и также может быть большим. [31]
В данном случае потенциостат используют для создания определенного исходного состояния исследуемого электрода при постоянном заданном потенциале. В основе метода лежит самопроизвольное активирование электрода после выключения поляризующего тока. При этом происходит процесс разряда емкости двойного слоя, причем ток разряда равен скорости электрохимической реакции в определенном интервале потенциалов. Анализ кривых спада позволяет получить сведения о кинетике реакции, емкости двойного слоя, а также о природе промежуточных частиц. При снятии кривых спада в пассивной области ток разряда емкости двойного слоя может оказаться значительно меньше токов обмена равновесных электрохимических процессов. Такими процессами могут быть реакции с участием поверхностных соединений ( окислов титана), а также с участием компонентов раствора. Подобные процессы влияют на величину потенциала электрода, что проявляется в характерных задержках на кривых спада. По потенциалам задержек, сопоставляемым с равновесными потенциалами, делают выводы о поверхностных образованиях на электроде или составе приэлектродного слоя. [32]