Cтраница 1
Ток усиливаемого сигнала / у поступает в обмотку Wy и создает магнитное поле, совпадающее с полем обмотки начального подмагничивания в одном дросселе и имеющее в другом дросселе противоположное направление. Wc, первого дросселя; / 2 - ток, проходящий по обмоткам переменного тока второго дросселя. [1]
Ток усиливаемого сигнала / у поступает в обмотку Wy и создает магнитное поле, совпадающее с полем обмотки начального подмагничивания в одном дросселе и имеющее в другом дросселе противоположное направление. [2]
![]() |
Схемы питания транзисторов с помощью одного источника. [3] |
В любой из схем включения транзистора во входной цепи протекает ток усиливаемого сигнала, следовательно, расходуется и мощность. Входные сопротивления транзисторов, включенных по схеме с ОЭ и особенно с ОБ по отношению к их выходным сопротивлениям, малы, что вызывает некоторые затруднения при согласовании отдельных каскадов. [4]
В любой из схем включения транзистора во входной цепи протекает ток усиливаемого сигнала, следовательно, расходуется и мощность. Поэтому любой из усилительных каскадов на транзисторах можно рассматривать как усилитель мощности. [5]
В любой из схем включения транзистора во входной цепи протекает ток усиливаемого сигнала, следовательно, расходуется мощность. Поэтому любой из усилительных каскадов на транзисторах можно рассматривать как усилитель мощности. [6]
Рассмотрим работу одноконтурного параметрического усилителя по упрощенной схеме рис. 4.48. Источник тока усиливаемого сигнала гармонических колебаний i 4 / isin ( o) 4 / ф J подключен параллельно колебательному контуру L iC f, настроенному на частоту источника BI. Эквивалентная проводимость gt включает проводимости источника сигнала, контура и нагрузки. Эквивалентная проводимость gz включает проводимости источника накачки и колебательного контура. [7]
Коэффициент усиления по току, который показывает, во сколько ра з амплитуда тока усиливаемого сигнала на выходе транзистора больше амплитуды тока на его входе. [8]
![]() |
Усилители напряжения на полупроводниковых триодах. [9] |
Емкость С2 шунтирует сопротивление R для звуковых частот. При ее отсутствии сопротивление Rt уменьшает ток усиливаемого сигнала, что приводит к снижению усиления каскада. [10]
Соотношения (6.3) являются линейными уравнениями. Это означает, что по отношению к малым напряжениям и токам усиливаемых сигналов параметрический усилитель является линейной системой. Поэтому закон модуляции сигнала в процессе усиления - преобразования в ПУ сохраняется без искажений. [11]
![]() |
Упрощенная схема двухкаскадного усилителя на транзисторах с разными типами проводимости. [12] |
Следует иметь в виду, что в усилителях с числом каскадов более одного частичная нейтрализация коллекторного перехода первого транзистора осуществляется также за счет собственной нейтрализации, которая происходит в результате распределения тока усиливаемого сигнала между сопротивлением в цепи коллектора входного транзистора и входом последующего каскада. [13]