Cтраница 2
![]() |
Воздушный промежуток с диэлектриком, поверхность которого загрязнена или смачивается дождем. [16] |
Ток утечки / у нагревает слой загрязнения, увеличивая скорость испарения влаги с поверхности диэлектрика. Вследствие изменения плотности тока вдоль сложной поверхности, а в реальных условиях и из-за неоднородности слоя загрязнения поверхность нагревается неравномерно и скорость испарения влаги на отдельных участках разная. С ростом напряжения ток / у и нагрев поверхности увеличиваются. При некотором значении напряжения, зависящем от интенсивности мокрых осадков, скорость испарения на наиболее нагретом участке становится выше скорости поступления влаги. Поверхность на этом участке высыхает, его сопротивление резко увеличивается, вследствие чего практически все напряжение оказывается приложенным к этому небольшому промежутку на поверхности. Происходит его перекрытие с образованием частичной дуги длиной в несколько миллиметров. [17]
Ток утечки через 5 мин после наложения номинального рабочего напряжения не должен превосходить 2 мка при температуре 25 С и 10 - 15 мка при температуре 85 С. [18]
![]() |
Схема определения переходного сопротивления труба-земля трубопроводов конечной длины.| Схема определения переходного сопротивления методом тока утечки. [19] |
Ток утечки определяется как отношение разности падений напряжения на двух участках трубопровода к его продольному сопротивлению. [20]
Ток утечки протекает по поверхности кристалла под действием внешнего напряжения. Он в очень сильной степени зависит от состояния ( загрязнения) этой поверхности и почти не зависит от температуры. Ток утечки возрастает при увеличении обратного напряжения примерно по линейному закону и в основном определяет наклон обратной ветви вольт-амперной характеристики диода. [21]
Ток утечки определяют на готовом изделии током промышленной частоты 50 Гц. Обувь погружают в металлический сосуд с водой при температуре 15 - 35 С и наполняют ее водой так, чтобы края изделия, выступающие из воды, были сухие. Внутрь изделия опускают электрод, заземленный через миллиамперметр. Второй вывод испытательного трансформатора соединяют с сосудом. [22]
Ток утечки стекает лишь с оголенной поверхности металла, в местах нарушения сплошности изоляции. [23]
Ток утечки протекает по поверхности кристалла под действием внешнего напряжения. Он в очень сильной степени зависит от состояния ( загрязнения) этой поверхности и почти не зависит от температуры. Ток утечки возрастает при увеличении обратного напряжения примерно по линейному закону и в основном определяет наклон обратной ветви вольт-амперной характеристики диода. [24]
Ток утечки по поверхности изолятора сосредоточивается в этой дуге, а продолжающаяся подсушка увлажненных участков поверхности сопровождается продвижением опорных точек дуги к электродам изолятора. [25]
Токи утечки в хлороотлодах колеблется в пределах G UOI - 0S5 A, а в рядных коллекторах могут достигать 5 - 8 А. [26]
Ток утечки в установках прямого нагрева должен составлять не более 0 2 % номинального тока установки. [27]
![]() |
Конструкция разрядника типа ТРВ. [28] |
Токи утечки вызывают обугливание, а с течением времени и сгорание трубки. [29]
Токи утечки от постоянного тока одного направления могут оказать химическое воздействие на изоляторы. [30]