Ток - утечка - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Оригинальность - это искусство скрывать свои источники. Законы Мерфи (еще...)

Ток - утечка - транзистор

Cтраница 1


Ток утечки транзистора и приложенное к транзистору напряжение определяют сопротивление его изоляции. Уже поэтому ( есть еще и другие причины) транзисторы или в общем случае электронные переключающие схемы нельзя включать произвольно последовательно или параллельно. Большинство типов транзисторов рассчитаны на пропускание постоянного тока только в одном направлении. При перемене полярности источника питания транзистор запирается или даже выходит из строя, поэтому транзисторы не пригодны для переключения переменных токов. Кроме того, транзисторы рассчитаны обычно на малые токи и напряжения. Разумеется, существуют полупроводниковые приборы, рассчитанные на очень высокие напряжения и токи, например тиристоры, но мы имеем в виду лишь приборы, сравнимые и в экономическом отношении.  [1]

2 Схема инвертируемого УВХ на одном ОУ ( а и схема с уменьшенным током утечки.| Схема иеинвертируемого УВХ на одном ОУ. с входным повторителем ( а и с выходным. [2]

Для уменьшения тока утечки транзистора VT2 в схему введен ключ на транзисторе VTI, которой подключает сток транзистора VT2 к общей шине в режиме хранения и тем самым уменьшает ток утечки почти до нулевого уровня.  [3]

Диод Д4 и резистор RW снижают ток утечки транзистора 7 9 в запертом состоянии.  [4]

Применение методов компенсации позволяет устранить влияние токов утечки транзисторов в широком диапазоне температур, однако при этом возникает дополнительная частотная погрешность за счет нестабильности амплитуды управляющего напряжения, которая определяется элементами схемы компенсации.  [5]

На неинвертирующие входы операционного усилителя подается напряжение, создаваемое токами утечки измерительных транзисторов на конденсаторе C7J, подключенном к выводу 27 ИМС.  [6]

Резистор R предотвращает смещение транзистора Г2 в область проводимости за счет токов утечки транзисторов 7 и Тг. Обычно сопротивление R составляет несколько сотен ом в мощном транзисторе Дарлингтона и несколько тысяч ом в малосигнальном транзисторе Дарлингтона.  [7]

При записи информации ток питания в выбираемом столбце выключателей ( рис 6.18), что значительно облегчает условия записи информации в выбранный ЭП, точнее, надежную запись обеспечивает ток, превышающий в несколько раз токи утечек транзисторов. Импульс выборки отрицательной полярности по шине В обеспечивает существенную разницу в распределении тока записи между ЭП выбранной и невыбранных строк и, следовательно, существенную разницу во временах их переключения. При записи области р-типа, связанные с разрядными шинами, выполняют роль дополнительных инжекторов. Здесь используется существенная зависимость времени переключения от тока инжектора. Практически ток записи можно выбирать равным нескольким сотням микроампер.  [8]

9 Ключевые схемы. [9]

Потребление энергии от источника питания происходит в этой схеме только в момент переключения из одного логического состояния в другое. В течение всего остального времени цепь практически разомкнута, так как через запертые транзисторы протекают лишь очень малые остаточные токи и токи утечки транзисторов. В момент переключения мощность источника затрачивается на перезарядку емкостей схемы.  [10]

11 Ключевая схема на транзисторах с каналами дополнительных типов проводимости. [11]

Если l - Enl Uon [ Uop, увеличение t / Bx приводит к тому, что транзистор с n - каналом закрывается раньше, чем открывается транзистор с рнканалом, и в некотором диапазоне изменения 1УВХ потенциал на выходе схемы определяется токами утечки транзисторов. Обычно уровни входных сигналов, соответствующие логическим 0 и 1, выбираются таким образом, чтобы в обоих состояниях был открыт лишь один транзистор ключевой схемы.  [12]

В режиме выборки ошибка определяется падением напряжения на сопротивлении открытого транзистора VT2 из-за протекания входного тока усилителя. В режиме хранения транзистор VT2 закрыт, инвертирующий вход ОУ отключен от входного сигнала и ток утечки истока VT2 разряжает конденсатор. Для уменьшения тока утечки транзистора VT2 в схему включен транзистор VT1, заземляющий сток транзистора VT2 в режиме хранения. Напряжение сток - исток транзистора VT2 близко к нулю ( 0 2 В) и, следовательно, минимален ток утечки. В результате этого конденсатор разряжается только небольшим током утечки перехода затвор - исток транзистора VT2 и входным током ОУ.  [13]

14 Принципиальная схема регулятора напряжения БРН-ЗВ. Д1, Д2, Д7 - Д13, Д16 - выпрямительные диоды. ДЗ-Д6, Д14, Д15, Д17 - стабилитроны. Т1 - ТЗ - полупроводниковые триоды. Т4, Т5 - тиристоры. С1 - С4 - конденсаторы. R1 - R9, R1 - резисторы. Др1, Др2 - электрические реакторы. БА - аккумуляторная батарея. ВГ - вспомогательный генератор. 0В - обмотка независимого возбуждения вспомогательного генератора. [14]

Измерительный орган собран по мостовой схеме, в которой стабилизированное напряжение на ДЗ ( Д6) сравнивается с напряжением между выводом генератора Я2 и движком потенциометра R2, изменяющимся с изменением напряжения вспомогательного генератора. Стабилитроны Д4, Д5 используются в качестве термокомпенсатора. Потенциометр R2 служит для настройки регулятора на заданное напряжение, диод Д7 - для уменьшения тока утечки транзистора Т1, диоды Д1 и Д2 - для защиты переходов транзистора Т1 от обратных напряжений в - моменты коммутации. Конденсатор С1 необходим для сглаживания пульсаций напряжения вспомогательного генератора на входе измерительного органа.  [15]



Страницы:      1    2