Ток - поверхностная утечка
Cтраница 2
Таким образом, можно сделать вывод, что в указанных выше условиях большая часть обратного тока состоит из основных носителей и ( или) тока поверхностной утечки. Если, однако, значительно повысить концентрацию неосновных носителей в образце, то большая часть обратного тока может переноситься ими и тогда эксклюзия окажется гораздо более эффективной для управления свойствами коллектора. Это легко показать, освещая коллектор, когда обратное сопротивление сильно уменьшается. При эксклюзии возможно восстановление и даже превышение темпового сопротивления. [16]
При оценке влажности материала по его проводимости ток, проходящий через внутреннюю область материала, лучше характеризует установившуюся среднюю влажность материала по сравнению с током поверхностной утечки или током в поверхностном слое. Однако практически на результат измерения сопротивления датчика с материалом оказывает влияние не только объемный, но и поверхностный ток между электродами. [17]
При оценке влажности материала по его проводимости ток, проходящий через внутреннюю область материала, лучше характеризует установившуюся среднюю влажность материала по сравнению с током поверхностной утечки или током в поверхностном слое; две последние составляющие тока зависят от сорбции и десорбции влаги материалом, от образования поверхностных пленок влаги, поверхностных загрязнений и от других, иногда случайных факторов. Однако при измерении сопротивления датчика с материалом учитывают не только объемный, но и поверхностный ток между электродами; удельный вес поверхностного сопротивления в измеряемом сопротивлении зависит от конструкции электродов, их размеров, расстояния между ними. [18]
Поверхностные утечки обратного тока обусловлены омическим шунтированием p - n - перехода на поверхности и появлением канальных токов. Ток поверхностной утечки часто является основной составляющей обратного тока через переход. [19]
У большинства исследованных нами образцов обратные токи возрастают пропорционально приложенному напряжению. Ток поверхностной утечки, обусловленный аномальным каналом, изменяется с изменением величины соответствующего поверхностного заряда. Кроме молекул, находящихся в прочной связи на поверхности, всегда имеются молекулы в состоянии слабой хемосорбции и физической адсорбции. Последние могут переходить в состояние хемосорбции при сообщении им определенной энергии активации. При погружении приборов в расплав стекла, вероятно, изменяется соотношение между различными формами адсорбции и вместе с тем изменяется заряд поверхности. [20]
 |
Схемы измерения тока проводимости изоляции. [21] |
Экран должен охватывать корпус измерительного устройства и провод, соединяющий его с объектом. Ток поверхностной утечки исключается путем наложения на поверхность изоляции вблизи электродов бандажей, соединенных с экранами. [22]
Темновой ток, создаваемый объемной тепловой генерацией носителей, можно снижать выбором материала с большим объемным временем жизни. Снижение тока поверхностных утечек достигается пассивацией поверхности. [23]
При увеличении температуры коллекторного перехода на каждые 10 нулевой ток возрастает в два раза. Однако для мощных триодов при обратном напряжении 12 - 30 в основную часть начального коллекторного тока составляет ток поверхностной утечки, который мало зависит от температуры перехода. [24]
При увеличении температуры коллекторного перехода на каждые 10 нулевой ток возрастает в два раза. Однако для мощных триодов при обратном напряжении 12 - 30 в основную часть начального коллекторного тока составляет ток поверхностной утечки, который мало зависит от температуры перехода. [25]
Основным источником шума служит р - - переход, включенный в обратном направлении. Возникновение шума связано с изменением скорости поверхностной рекомбинации, что изменяет ток неосновных носителей заряда на поверхности, и с изменением токов поверхностной утечки. [26]
Основными параметрами реальной поверхности являются поверхностный потенциал, концентрация поверхностных состояний и скорость поверхностной рекомбинации. Свойства поверхности могут изменяться во внешней среде, а именно они определяют такие параметры полупроводниковых приборов, как обратный ток через р-я-переход, ток поверхностных утечек, напряжение пробоя, сопротивление р-я-перехода, шумы и коэффициент усиления транзисторов. Рассмотрим подробнее эти параметры. [27]
Следует обратить внимание, что начальные токи / Э Н, / э-о, / к-н и / К о являются параметрами не реального транзистора, а его диффузионной идеализированной модели. Начальные токи реального транзистора / эн, / кн, / эо и / ко содержат, кроме диффузионной составляющей, составляющие, обусловленные токами поверхностных утечек, процессами рекомбинации-генерации в слое объемного заряда, модуляцией ширины базы и другими факторами. [28]
Электрометрическим варикапам типа KB 115A, Б, В, предназначенным для использования в преобразователях УПТ, посвящено настоящее сообщение. В разработанных приборах использован сплавной р - - переход кремний - алюминий; выбор низкоомного кремния обеспечивает получение малого значения генерационно-ре-комбинационного объемного обратного тока, а также уменьшает и токи поверхностных утечек. Травленая поверхность р - - перехода защищена лаком. [29]
Сопротивление изоляции и коэффициент абсорбции определяют мегаомметрами М-1101 на напряжение 1000 В и МС-01 на 2500 В. Номинальное напряжение на мегаомметре обеспечивается вращением рукоятки прибора с частотой вращения 120 об / мин. Если результат испытания искажен токами поверхностной утечки ( определяемой стрелкой прибора), то используют зажим Э ( экран) мегаомметра ( рис. 12 - 1, б), при этом точность измерений значительно повышается. [30]
Страницы: 1 2 3