Cтраница 2
Кроме параметров общих для всех диодов параметрами туннельных диодов являются: ток пика / п и ток впадины / в - прямые токи соответственно в точках максимума и минимума вольт-амперной характеристики; напряжение пика Ua и напряжение впадины У - прямые напряжения при токах / п и / в: напряжение раствора 1 / рр - прямое напряжение на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики при токе / п; емкость Сд перехода и корпуса диода. [16]
![]() |
Вольт-амперная характера - [ IMAGE ] Эквивалентная схема туннель-стика туннельного диода, ного диода при малых сигналах. [17] |
Величины Up, и и Upp называются соответственно напряжениями пика, впадины и раствора, / р - пиковый ток, / - ток впадины. [18]
Параметрами туннельных и обращенных диодов являются: максимальный ток / шах; напряжение пика l / lf - напряжение впадины U2; отношение пикового тока к току впадины у Jmax / fmin. [19]
На статической характеристике ТД существует ряд характерных точек, определякщих его предельные параметры: / - пиковый ток, Ua - пиковое напряжение, U, - напряжение впадины, / в - ток впадины, ( / р - напряжение раствора характеристики. [20]
Инжекционная составляющая тока туннельного диода растет с увеличением температуры по двум причинам, имеющим место и в выпрямительных диодах ( см. § 3.2), - уменьшение высоты потенциального барьера и перераспределение носителей заряда по энергетическим уровням. Поэтому у туннельного диода ток впадины растет с увеличением температуры. [21]
Инжекционная составляющая тока туннельного диода растет с увеличением температуры по двум причинам, имеющим место и в выпрямительных диодах ( см. § 3.2): уменьшение высоты потенциального барьера и перераспределение носителей заряда по энергетическим уровням. Поэтому у туннельного диода ток впадины растет с увеличением температуры. [22]
Инжекционная составляющая тока туннельного диода растет с увеличением температуры по двум причинам, имеющим место и в выпрямительных диода к ( см. § 3.2): уменьшение высоты потенциального барьера и перераспределение носителей заряда по энергетическим уровням. Поэтому у туннельного диода ток впадины растет с увеличением температуры. [23]
В зависимости от технологических факторов перечисленные параметры могут иметь значительный разброс, в сильной степени они также зависят от температуры. Например, с ростом температуры заметно растет ток второй восходящей ветви, увеличивается ток впадины и уменьшается напряжение раствора характеристики. [24]
Рабочим участком вольт-амперной характеристики туннельного диода является участок в-д, на котором диод обладает отрицательной дифференциальной проводимостью gnep. Основными параметрами туннельных диодов являются: пиковый ток / п - прямой ток в точке максимума вольт-амперной характеристики; ток впадины / в - прямой ток в точке минимума вольт-амперной характеристики; отношение токов / п / / в - Напряжение пика Ua - прямое напряжение, соответствующее пиковому току; напряжение впадины UB - прямое напряжение, соответствующее току впадины; напряжение раствора t / pp - прямое напряжение, большее напряжения впадины, при котором ток равен пиковому. [25]
Рабочим участком вольт-амперной характеристики туннельного диода является участок в-д, на котором диод обладает отрицательной дифференциальной проводимостью gnep. Основными параметрами туннельных диодов являются: пиковый ток / п - прямой ток в точке максимума вольт-амперной характеристики; ток впадины / в - прямой ток в точке минимума вольт-амперной характеристики; отношение токов / п / / в - Напряжение пика Ua - прямое напряжение, соответствующее пиковому току; напряжение впадины UB - прямое напряжение, соответствующее току впадины; напряжение раствора t / pp - прямое напряжение, большее напряжения впадины, при котором ток равен пиковому. [26]
Метод измерения последовательного сопротивления потерь Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений Стабилитроны полупроводниковые. [27]
Напряжение пика Un - прямое напряжение ( UA), соответствующее пиковому току. Напряжение впадины ( / в - прямое напряжение, соответствующее току впадины. [28]