Ток - электрон
Cтраница 1
Ток электронов, протекающий через барьер для рекомбинации в области р, называется током инжекции или просто инжекцией. [1]
Ток электронов в электрической цепи направлен от цинка к германию. [2]
 |
Вольт-амперная характеристика ( ВАХ р - п-перехода. [3] |
Ток электронов через запрещенную зону полупроводника отсутствует только при классич. Оно становится недостаточным с ростом напряженности поля. Из-за туннелирования электронов сквозь запрещенную зону ( аффект Зинера) тормозящийся в электрич. [4]
 |
Принцип дейст - Если. контакты образца. [5] |
Токи электронов и дырок в направлении у складываются, образуя суммарный ток, плотность которого затухает по мере удаления от освещенной поверхности вследствие рекомбинации неравновесных носителей заряда. Если электрические контакты образца замкнуть накоротко, то во внешней цепи возникнет ток короткого замыкания фотомагнитного эффекта. В условиях короткого замыкания ток в каждой точке образца направлен в одну и ту же сторону, причем основная часть тока протекает вблизи освещенной поверхности в слое, соответствующем диффузионной длине смещения неравновесных носителей. [6]
Ток электронов, эмиттируемых катодом 1 - 2 ма, вполне достаточен для получения требуемого ионного тока для щелевого источника. Только незначительная часть ( 0 1 - 0 3 указанного значения) тока эмиссии пересекает анодный коробок и совершает работу ионизации. Остальная, значительно большая, часть попадает на анод и в цепи анодной нагрузки создает напряжение, которое используется в электронной схеме для стабилизации тока эмиссии. Для получения электронов применяют ленточные катоды сечением приблизительно 0 8X0 05 мм или проволочные диаметром 0 15 - 0 20 мм. [7]
Ток электронов в базе переносится за счет диффузии. [8]
При этом токи электронов и дырок остаются постоянными в пределах р - га-перехода. [9]
В итоге ток электронов через переход эмиттер - база может быть сделан много слабее тока дырок, так что электроны в работе р-п-р-транзистора заметной роли не играют. [10]
Аналогично, ток электронов в - области является дрейфовым, а в р-области - диффузионным. Следовательно, вычислив диффузионные токи и сложив их, получим полный ток через переход. При этом предполагается, что р-п переход является тонким и носители заряда, проходя через него, не успевают рекомбинировать. [11]
Выражения для тока электронов и полученные соотношения для плотности электронов справедливы, если расстояние от рассматриваемой точки пространства до стенки разрядной трубки значительно превышает длину свободного пробега электронов. [12]
Пусть 1пз - ток электронов, выходящих из п-области; / пд - ток дырок, выходящих из n - области; 1рэ - ток электронов, выходящих из р-области; / рд - ток дырок, выходящий из р-области. [13]
Обозначим через 1 ток электронов, выходящих из поверхности провода - катода. [14]
В этой точке ток электронов, собираемых коллектором из базы, полностью компенсируется противоположно направленным током инжекции коллекторного перехода, поэтому ток коллектора равен нулю. При заданном токе / к 0 напряжение насыщения увеличивается при снижении тока базы. [15]
Страницы: 1 2 3 4