Ток - эмиттер - транзистор
Cтраница 2
Напомним, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора возрастает с увеличением тока эмиттера в результате уменьшения влияния рекомбинации в p - n - переходе эмиттера и появления электрического поля в базе транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера также растет при увеличении напряжения на коллекторе из-за уменьшения толщины базы и увеличения коэффициента умножения в коллекторном переходе. Все эти процессы происходят и в тиристорной структуре при увеличении прямого напряжения. [16]
 |
Схема тракта высокой и промежуточной частот радиоприемника Банга. [17] |
Напряжение смещения формируется за счет тока эмиттера транзистора VT4 второго каскада УПЧ. [18]
В первый момент времени переходного процесса ток эмиттера транзистора проходит через конденсатор С0 ( С, сопротивление 0) Cinoc оказывается закороченным, а обратная связь - практически выведенной из действия. [19]
При точной настройке на принимаемую радиостанцию ток эмиттера транзистора TI5 максимален, напряжение на его коллекторе минимально и стрелка индикатора настройки отклоняется в наибольшее правое положение. [20]
 |
Деление динистора на две структуры ( а и схема замещения ( б. [21] |
Примем, что коэффициенты передачи по току эмиттера транзисторов 71 и 72 имеют значения cti и а2 соответственно. [22]
Базы транзисторов Т6 и 77 питаются током эмиттера транзистора Т5 и, таким образом, при повышении температуры жестко стабилизированы без применения термистора. [23]
 |
Транзистор - у ст - эв. [24] |
Допустим, что по той или иной причине ток эмиттера транзистора возрос. Такая полярность напряжения для транзистора типа прп приводит к увеличению сопротивления транзистора и восстановлению прежнего значения эмиттерного тока. [25]
Увеличение сигнала на выходе усилителя приводит к уменьшению тока Эмиттера транзистора Т и, как следствие, к уменьшению усиления. Отличительной особенностью этого усилителя является наличие напряжения противо-смещения, которое снимается с делителя напряжения RgR Ri) и подается на детектор. Это напряжение определяет порог срабатывания АРУЗ. [26]
Обозначим через cti и а2 интегральные коэффициенты передачи токов эмиттеров транзисторов VT, и УГ2 соответственно. Из рассмотрения транзисторной схемы замещения ( рис. 1 6, в) видно, что ток / / 2) протекающий через переход / г, складывается из трех компонентов: коллекторных токов а. [27]
Ток эмиттера транзистора Т2 возрастает, в то время как ток эмиттера транзистора Т4 уменьшается. [28]
 |
Схемы с повышенным значением / н ( ГСт. [29] |
Существует возможность исключения указанных недостатков путем резкого увеличения коэффициента нестабильности при определенном токе эмиттера транзистора, что осуществимо, как следует из выражений ( 1) и ( 2), за счет уменьшения Ra либо увеличения Кб. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5