Темповый ток - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Порядочного человека можно легко узнать по тому, как неуклюже он делает подлости. Законы Мерфи (еще...)

Темповый ток

Cтраница 1


Темповые токи в цепи фотосопротивления при напряжениях питания порядка 50 - 100 в достигают 10 - 6 - 10 - 8 а. Тем-новое сопротивление этих фотосопротивлений очень велико ( мегомы и даже десятки мегом), лишь у некоторых образцов ( ФС-К7) оно снижается до Ш5 ом.  [1]

Сравнительно большие темповые токи при включений в фотодиодном режиме делают часто невозможным его использование для измерения малых лучистых потоков. Это существенный не - доотаток, если учесть, что в ЭП ДГП целесообразно иопомзо-вать маломощные лампы.  [2]

Темповым током ФЭУ называют анодный ток / т при о ния фртокатода. Он определяется в основном двумя утечки между электродами и термоэлектронной эмиссие первых динодов.  [3]

4 Зависимость темно.| Спектральная чувствительность. [4]

Величина темпового тока, зависимость ее от температуры, а также изменение ее во времени существенно меняются от образца к образцу, поэтому для достижения высокой чувствительности необходим тщательный отбор ФЭУ. Таким образом, подбор оптимальных значений т, отбор и охлаждение ФЭУ приводят к значительному увеличению чувствительности фотометрической установки. Однако в хемилюминесцентных измерениях обычно необходимо не только обнаружить, но и измерить величину светового сигнала с достаточной степенью точности. Из выражения (III.1) видно, что слабый фотосигнал часто принципиально не может быть измерен с большой степенью точности.  [5]

Причиной темпового тока может быть и авюэлектронная эмиссия, но, устраняя острые ребра и шероховатости на электродах, ее можно сделать малозаметной.  [6]

Но флуктуации темпового тока создают дополнительные шумы и этим тоже ограничивается чувствительность измерения фототока. Для некоторых фотоумножителей уменьшение флуктуации темнового тока играет основную роль в обеспечении высокой чувствительности фотоэлектрических измерений, что достигается ограничением размеров фотокатода и его охлаждением.  [7]

Уменьшение влияния темпового тока на точность измерений достигается применением в квантометре специально отобранных умножителей, обладающих большим отношением интегральной чувствительности к темновому току. Интенсивность применяемых источников возбуждения спектра такова, что темновой ток составляет лишь 20 % от фототока, вызванного световым фоном, в силу чего малые изменения темнового тока не сказываются на точности показаний.  [8]

9 Световая характеристика фотоумножителя, снятая при каскадных напряжениях U 100в. [9]

Для уменьшения темпового тока умножитель иногда охлаждают жидким воздухом. Заштрихованной области, начинающейся на рис. 282 при t / я ПО в, соответствуют быстрый рост темнового тока и его нестабильность. В этом режиме проявляется обратная связь между выходным анодным током и током с катода, которая может быть ионной и оптической природы.  [10]

11 Схема поперечного сечения многослойного датчика на a - Si. Н. 1 - прозрачный контакт ( ОНО, 150 нм. 2 - фото про водящий слой ( a - Si. Н, 1 мкм. 3 -нижний контакт ( А1 или Сг, 400 нм. 4-стек-ляиная подложка.| ВАХ ( при освещении и в темноте на постоянном токе и их зависимость от материала нижнего контакта. На верхний ОИО-контакт подано отрицательное смещение 9 ]. 1 - освещенность 100 лк. / / - темиовая характеристика.| Характеристики фотоответа зеленых светодиодов на a - Si. Н ( 100 пк, модулированные частотой 1 25 кГц 191. [11]

Различия в темповых токах связываются с различиями работ выхода в используемых металлах. На этом датчике четко проявляется эффект отжига. Темновой ток через 24 ч после осаждения снижается. После отжига при 150 - 200 С отмечено снижение / примерно на порядок, в то время как значение / слегка возросло. В результате отношение / / / при отжиге увеличивается.  [12]

13 Схема поперечного сечения многослойного датчика на a - Si. Н. 1 - прозрачный контакт ( ОНО, 150 нм. 2 - фото про водящий слой ( a - Si. Н, 1 мкм. 3 -нижний контакт ( А1 или Сг, 400 нм. 4 - стеклянная подложка.| ВАХ ( при освещении и в темноте на постоянном токе и их зависимость от материала нижнего контакта. На верхний ОИО-контакт подано отрицательное смещение. 1 - освещенность 100 лк. / / - темиовая характеристика.| Характеристики фотоответа зеленых светодиодов на a - Si. Н ( 100 пк, модулированные частотой 1 25 кГц 191. [13]

Различия в темповых токах связываются с различиями работ выхода в используемых металлах. На этом датчике четко проявляется эффект отжига. Темновой ток через 24 ч после осаждения снижается. После отжига при 150 - 200 С отмечено снижение ld примерно на порядок, в то время как значение / слегка возросло. В результате отношение / / / при отжиге увеличивается.  [14]

В органических диэлектриках темповые токи обычно весьма незначительны, и для них проверить применимость соотношения (2.7.1.31) крайне трудно. Однако в качестве хорошего примера можно привести J - - характеристику нафталина, показанную на рис. 2.7.4. В этом случае использовались электроды из серебряной пасты; основными носителями заряда являлись электроны.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5